ドライエッチングとは、プラズマや反応性ガスを用いて気相（ドライ）でウェハ表面の材料を除去するエッチング手法の総称です。薬液を使うウェットエッチングとは異なり、真空チャンバー内でプラズマを生成して処理します。現代の半導体製造では微細パターン形成の主力プロセスです。
代表的な方式はRIE（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）で、化学的エッチング（ラジカルによる反応）と物理的スパッタリング（イオン衝撃）を組み合わせます。垂直方向への強い異方性を持つため、幅数nm〜数十nmの微細なパターン側壁を垂直に形成でき、回路の高密度化に不可欠です。プラズマ源の方式によりICP（誘導結合プラズマ）やCCP（容量結合プラズマ）などのバリエーションがあります。
ドライエッチングの選択比（エッチングしたい材料と残したい材料のエッチング速度の比）はプロセスガスの組成・圧力・パワーで制御されます。シリコンにはSF₆/Cl₂系、SiO₂にはCxFy系（C₄F₈など）フルオロカーボンガス、SiNにはCHF₃系が代表的です。エッチングガスの組成最適化が最終パターン形状の制御に直結します。
ドライエッチングの主な用途は、ゲート電極の加工、コンタクトホール・ビアホールの形成、サイドウォールスペーサーのエッチバック、トレンチ分離（STI）、3D NANDのチャネルホール形成などです。先端プロセスでは原子層単位の制御が可能なALE（Atomic Layer Etching：原子層エッチング）も台頭しています。
ALE（原子層エッチング）はALDの逆プロセスで、表面を1原子層ずつ精密に除去します。高アスペクト比構造・GAAナノシート形成・精密なSiGe選択除去などに不可欠な最先端技術です。主要装置メーカーはLam Research（Kiyo、Flex系）、東京エレクトロン（Tactras、Certas系）、Applied Materials（Producer、Centura系）です。
