微影(曝光)用語:台灣・中國大陸・英文對照
微影是把電路圖形轉印到晶圓上的步驟。台灣說「微影」「光阻」「光罩」,中國大陸則說「光刻」「光刻胶」「掩膜版」。
微影(曝光)是什麼
微影製程依序是塗佈光阻、曝光、顯影:用光罩上的圖形對光阻曝光,再把曝光後的光阻顯影成圖形,作為後續蝕刻或離子佈植的遮罩。
台灣習慣把整個製程稱為「微影」,只指照光的步驟時才說「曝光」;中國大陸則一律用「光刻」,曝光機也稱為「光刻机」。讀中國大陸的資料時,看到「光刻」就是台灣說的微影。
微影(曝光)用語表(13 個)
| 台灣用語 | 中國大陸用語 | 英文 |
|---|---|---|
| 微影/曝光 台灣把整個製程稱為「微影」,單指照光的步驟時說「曝光」 | 光刻 | Lithography |
| 光阻 | 光刻胶/光致抗蚀剂 | Photoresist |
| 光罩 | 掩膜版/光掩模 | Photomask |
| 光罩(倍縮光罩) 縮小投影曝光用的光罩。台灣口語上與 photomask 都叫「光罩」 | 掩模版/中间掩模 | Reticle |
| 步進式曝光機 | 步进光刻机 | Stepper |
| 掃描式曝光機 | 扫描光刻机 | Scanner |
| 極紫外光 波長 13.5nm。「EUV 曝光機」在中國大陸稱「EUV 光刻机」 | 极紫外 | Extreme Ultraviolet (EUV) |
| 浸潤式微影 | 浸没式光刻 | Immersion Lithography |
| 塗佈顯影機 | 涂胶显影机 | Coater / Developer (Track) |
| 疊對 上下層圖形的對位誤差。台灣說「疊對」,中國大陸說「套刻(精度)」 | 套刻 | Overlay |
| 解析度 | 分辨率 | Resolution |
| 光罩保護膜 | 掩模保护膜 | Pellicle |
| 奈米壓印微影 「奈米」與「纳米」也是常見的兩岸用字差異 | 纳米压印光刻 | Nanoimprint Lithography (NIL) |
用語解說
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- 東京威力科創(TEL)(半導體製造設備(塗佈顯影・蝕刻・薄膜沉積))
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最後更新:2026-10-06