DRAM（Dynamic Random Access Memory）是在電容中儲存電荷以記憶1位元資訊的揮發性記憶體。由於電容的電荷會隨時間自然放電，因此需要定期進行「刷新（refresh）」操作（重新寫入）。以1個電晶體＋1個電容（1T1C）的最小單位構成，結構有利於高密度化。作為 PC 的主記憶體（DDR5 等）以及伺服器、智慧型手機的系統記憶體，是不可或缺的存在。
DRAM 的性能主要以存取速度（延遲、頻寬）、容量與功耗來評估。各世代規格（DDR1→DDR2→DDR3→DDR4→DDR5）的傳輸速度持續提升，DDR5 可達最高6400 MT/s 的傳輸速度。資料中心與 AI 訓練用途則出現了 HBM（High Bandwidth Memory），以2.5D 構裝實現大容量與高頻寬。
DRAM 的製程需要獨特的技術。隨著微縮，電容已演進為高深寬比的溝槽型或堆疊型，在10nm 以下，電容絕緣膜必須以 ALD 沉積 High-k 材料（ZrO₂、HfO₂）。記憶單元部（Capacitor）需在數十 nm 的孔洞（圓柱、溝槽）內進行精密成膜，因此要求 ALD 與蝕刻的高精度控制。
DRAM 市場是由全球3家廠商占約95%市占的寡占市場。主要廠商為三星電子（約43%）、SK 海力士（約30%）、美光科技（約22%），製造據點多位於韓國、美國與日本（廣島）。AI 伺服器與資料中心的急速擴張帶動 HBM 需求增加，成為 DRAM 市場最大的成長動能。
在微縮藍圖上，正從目前的1anm（10nm 級前段）朝1bnm、1cnm 推進。圖案化方面，EUV 曝光機（艾司摩爾）的採用持續擴大，預期從多重曝光轉向 EUV 單次曝光，可降低成本並提升精度。