Verdict結論
DRAM與NAND最大的差異在於「揮發性」。DRAM是關閉電源後資料就會消失的揮發性記憶體，用於PC與智慧型手機的RAM（工作記憶體）。NAND是關閉電源後資料仍會保留的非揮發性記憶體，用於SSD與智慧型手機的儲存空間。速度上DRAM（奈秒級）壓倒性地快，容量與成本則是NAND（微秒至毫秒級）較有利。
主要差異
| 比較項目 | NAND快閃記憶體（3D NAND） | DRAM |
|---|---|---|
| 揮發性 | 非揮發性（關閉電源後資料仍保留） | 揮發性（關閉電源後資料消失） |
| 主要用途 | SSD、智慧型手機儲存空間、USB隨身碟、SD卡 | PC／智慧型手機的RAM（工作記憶體）、HBM（AI／GPU用） |
| 讀寫速度 | 比DRAM慢（μs至ms級的存取） | 高速（ns級的隨機存取） |
| 基本記憶胞結構 | Charge Trap型／Floating Gate型垂直堆疊 | 1T1C（1個電晶體＋1個電容） |
| 提高積集度的方向 | 增加堆疊層數（目前以超過200層為主流） | 記憶胞間距的水平微縮（1α、1β世代等） |
| 製造上的關鍵製程 | 高深寬比（50～100:1以上）通道孔蝕刻 | 深電容溝槽、高深寬比接觸窗蝕刻 |
| EUV曝光的運用 | 目前幾乎不使用（以DUV因應） | 自最先進世代（1β／1γ）起積極導入 |
| 主要廠商 | 三星、SK海力士（含Solidigm）、鎧俠（Kioxia）、Sandisk（2025年自威騰電子分拆）、美光 | 三星、SK海力士、美光3家占大部分，中國的長鑫（CXMT）緊追在後 |
NAND與DRAM的基本差異：揮發性與用途
最容易理解的差異是「揮發性」。DRAM在電容中儲存電荷以保存資料，但每隔一定時間就必須刷新（refresh），關閉電源後資料便會消失。由於可高速存取，因此作為CPU的工作區域（主記憶體）使用。另一方面，NAND是將電荷捕捉在閘極絕緣膜中的非揮發性記憶體，沒有電源也能保存資料。速度雖比DRAM慢，但容量大且成本低，作為SSD與智慧型手機儲存空間廣泛普及。
3D NAND的製程特點：與超高深寬比的戰鬥
3D NAND最大的製造課題，是隨著堆疊層數增加而來的通道孔（記憶胞的垂直孔）超高深寬比蝕刻。在超過100層的堆疊中，孔深可達數微米，直徑卻在100nm以下，需要極高的深寬比。這種加工需要專用的電漿蝕刻設備與精密控制製程氣體。此外，為管理堆疊的絕緣膜與電極膜之間的界面品質，CVD與ALD也被廣泛使用。
DRAM的製程特點：兼顧微縮與電容容量
DRAM的1T1C記憶胞為了提高位元密度，必須同時縮小電晶體與電容。然而電容必須維持一定以上的電容量（飛法拉等級），否則無法保存資料。因此採用將電容做成深圓筒形（Cylinder型）或高柱形（Pillar型）的高深寬比結構。最先進的DRAM在曝光上運用EUV，精確形成高密度圖形，兼顧微縮與可靠度。
常見問題
NAND與DRAM有什麼不同？（NAND DRAM 差異）
最大的差異在於「揮發性」。DRAM是關閉電源後資料就會消失的揮發性記憶體，作為PC與智慧型手機的RAM（工作記憶體）使用。NAND是關閉電源後資料仍會保留的非揮發性記憶體，用於SSD、智慧型手機儲存空間、USB隨身碟等。速度上DRAM壓倒性地快，容量與成本則是NAND較有利。
智慧型手機中的NAND與DRAM各自用在什麼地方？
智慧型手機同時搭載兩者。DRAM就是顯示為「RAM」的部分，是讓多個App同時開啟的工作記憶體（8GB、12GB等）。NAND則是顯示為「儲存空間」的部分，用來保存照片、App與影片（128GB、256GB等）。
NAND與DRAM同樣是記憶體，為什麼結構完全不同？
因為保存資料的原理不同。DRAM在電容中儲存電荷以保存資料，但屬於每隔一定時間就需要刷新的揮發性記憶體。NAND是將電荷捕捉在閘極絕緣膜中保存的非揮發性記憶體，關閉電源後資料也不會消失。這項差異造成了結構、製程與用途的不同。
3D NAND的「層數」今後會增加到多少？
目前（截至2025年）主要廠商正在量產或開發200～300層以上的產品。技術上仍持續挑戰300～400層以上，但維持通道孔蝕刻的精度與管理堆疊膜的應力是課題，與多重堆疊（multi-stack）技術的結合備受關注。
HBM（High Bandwidth Memory）與DRAM有何不同？
HBM是將多顆DRAM晶片以3D堆疊、實現寬頻資料傳輸的高頻寬記憶體。基本記憶胞結構與DRAM相同，但加上了以TSV（矽穿孔）連接晶片之間的先進封裝技術。因AI／GPU對高記憶體頻寬的需求而快速成長。