半導體用語：台灣・中國大陸・英文對照

同一個半導體用語，台灣與中國大陸的說法常常不同。依製程整理台灣業界常用的說法，並列出中國大陸用語與英文，讀兩岸資料與英文文獻時可以對照查詢。

差異最大的基本用語

「晶片／芯片」「矽／硅」「電漿／等离子体」這類基本詞，兩岸用字就不同。先記住這些，讀中國大陸的資料會順很多。

重要用語解說

先進製程與先進封裝的關鍵用語，說明定義、原理與相關設備。

• CoWoS
  CoWoS 是台積電開發的 2.5D 先進封裝技術：把運算晶片與 HBM 記憶體並排放在中介層上，再接到封裝載板，讓晶片之間以極短距離、極高頻寬互連。
• HBM
  HBM（高頻寬記憶體）是把多顆 DRAM 晶片以矽穿孔（TSV）垂直堆疊的記憶體，介面寬度遠大於一般 DRAM，是 AI 加速器與高效能運算不可或缺的元件。
• EUV（極紫外光）微影
  EUV 是波長 13.5 奈米的極紫外光。以 EUV 進行曝光，可以用一次曝光做出 7 奈米級以下的微細圖形，是先進邏輯與記憶體製程的關鍵技術。
• 先進封裝
  先進封裝是把多顆晶片以高密度互連整合在一起的封裝技術總稱，包括 2.5D、3D 堆疊與扇出型封裝。在電晶體微縮越來越困難的時代，它成為提升系統效能的主要手段之一。
• 晶圓代工與 Fabless、IDM
  半導體企業依是否自行設計與製造，分為 IDM（設計到製造一手包辦）、Fabless（只做設計）與晶圓代工（只接受委託製造）三種經營模式。
• FinFET（鰭式場效電晶體）
  FinFET 是把電晶體的通道做成直立的「鰭」狀，讓閘極從三面包覆通道的立體電晶體結構，用來抑制微縮後越來越嚴重的漏電流。
• GAA（環繞式閘極）
  GAA 是閘極從四面完全包覆通道的電晶體結構，通道做成多層水平的奈米片，是繼 FinFET 之後先進邏輯製程的新一代電晶體。
• 良率
  良率是良品晶片占全部晶片的比例。良率越高，同樣的晶圓與設備能產出越多可出貨的晶片，是晶圓廠成本與獲利最直接的指標。
• 光阻
  光阻是微影製程使用的感光材料。塗在晶圓上經過曝光與顯影後形成圖形，作為後續蝕刻或離子佈植的遮罩。
• CMP（化學機械研磨）
  CMP 是以研磨液的化學作用與研磨墊的機械作用同時進行，把晶圓表面磨平的製程。多層導線結構的晶片，每一層都需要 CMP 才能做出下一層。
• 磊晶
  磊晶是在單晶基板上，沿著基板的晶格方向成長一層單晶薄膜的技術。從矽磊晶晶圓、先進電晶體的源極與汲極，到氮化鎵元件，都會用到磊晶。
• 矽穿孔（TSV）
  矽穿孔（TSV）是垂直貫穿矽晶片、內部填入金屬的導通孔，讓上下堆疊的晶片以最短的距離連接，是 HBM 與 3D 封裝的核心技術。

依製程查詢

• 微影（曝光）（13 個用語）
  微影是把電路圖形轉印到晶圓上的步驟。台灣說「微影」「光阻」「光罩」，中國大陸則說「光刻」「光刻胶」「掩膜版」。
• 蝕刻（13 個用語）
  蝕刻是依照光阻圖形移除不要的薄膜。台灣說「蝕刻」「電漿」，中國大陸說「刻蚀」「等离子体」。
• 薄膜沉積（13 個用語）
  薄膜沉積是在晶圓上長出絕緣膜、導體膜與半導體膜。台灣說「沉積」「濺鍍」「磊晶」，中國大陸說「沉积」「溅射」「外延」。
• 清洗與化學機械研磨（CMP）（14 個用語）
  清洗是去除微粒與污染，CMP 是把晶圓表面磨平。台灣說「化學機械研磨」「研磨液」，中國大陸說「化学机械抛光」「抛光液」。
• 離子佈植與熱處理（13 個用語）
  離子佈植把雜質打進矽裡，熱處理（退火）讓雜質活化、修復晶格。台灣說「離子佈植」「爐管」，中國大陸說「离子注入」「炉管／热处理」。
• 封裝與測試（19 個用語）
  封裝與測試合稱「封測」，屬於後段製程。台灣說「封測」「覆晶」「打線」，中國大陸說「封测」「倒装」「引线键合」。

用語表的寫法

「台灣用語」以台灣業界常用的說法為準，「中國大陸用語」列出當地常見的說法；同一個概念有多種說法時以「／」分隔，較常用的放前面。