半導體設備・材料類別一覽

依前段製程、後段製程與材料，整理主要的半導體設備類別。每個類別附上功能說明、主要廠商與相關製程用語。

目錄

• 前段製程設備（9 個類別）
• 後段製程設備（4 個類別）
• 晶圓與材料（4 個類別）

前段製程設備

在晶圓上反覆進行微影、蝕刻、薄膜沉積、清洗與研磨，做出電晶體與金屬導線的設備。

• 微影設備（曝光機・塗佈顯影機）

  把光罩上的電路圖形轉印到塗有光阻的晶圓上。曝光前後的光阻塗佈與顯影由塗佈顯影機負責。
  主要廠商：東京威力科創（TEL）
  用語解說：EUV（極紫外光）微影・FinFET（鰭式場效電晶體）・GAA（環繞式閘極）・光阻
  製程用語：微影（曝光）

• 蝕刻設備

  依照光阻圖形去除不需要的薄膜。先進製程以電漿進行的乾式蝕刻為主。
  主要廠商：東京威力科創（TEL）
  用語解說：FinFET（鰭式場效電晶體）・GAA（環繞式閘極）・矽穿孔（TSV）
  製程用語：蝕刻

• 薄膜沉積設備（CVD・ALD・PVD）

  在晶圓上形成絕緣膜、導體膜等薄膜。依方式分為化學氣相沉積、原子層沉積與物理氣相沉積。
  主要廠商：東京威力科創（TEL）・國際電氣（KOKUSAI ELECTRIC）
  用語解說：FinFET（鰭式場效電晶體）・GAA（環繞式閘極）・磊晶・矽穿孔（TSV）
  製程用語：薄膜沉積

• 清洗設備

  去除微粒、有機物與金屬污染。清洗步驟在整個製程中出現的次數最多。
  主要廠商：SCREEN（斯庫林）
  用語解說：CMP（化學機械研磨）
  製程用語：清洗與化學機械研磨（CMP）

• CMP 設備（化學機械研磨）

  以研磨液與研磨墊同時進行化學與機械作用，把晶圓表面磨平，讓下一層圖形能正確成形。
  主要廠商：荏原製作所（EBARA）
  用語解說：CMP（化學機械研磨）・矽穿孔（TSV）
  製程用語：清洗與化學機械研磨（CMP）

• 離子佈植設備

  把硼、磷、砷等雜質以離子形式打入矽中，控制各區域的導電型與濃度。
  製程用語：離子佈植與熱處理

• 熱處理設備

  以爐管或快速熱處理（RTP）進行氧化、退火與活化。批次式爐管一次可處理上百片晶圓。
  主要廠商：國際電氣（KOKUSAI ELECTRIC）・SCREEN（斯庫林）
  製程用語：離子佈植與熱處理

• 檢測設備

  找出晶圓或光罩上的缺陷與異物，是良率管理的起點。
  主要廠商：Lasertec
  用語解說：EUV（極紫外光）微影・良率

• 量測設備

  量測線寬、膜厚與疊對誤差，確認每一道製程是否落在規格內。
  用語解說：良率

後段製程設備

把完成的晶圓切成晶粒、封裝並測試，做成可以出貨的晶片。先進封裝讓後段的重要性快速提高。

• 切割・研磨設備

  把晶圓背面磨薄，再切成一顆顆晶粒。
  主要廠商：迪思科（DISCO）
  用語解說：CoWoS・HBM・先進封裝・矽穿孔（TSV）
  製程用語：封裝與測試

• 封裝設備

  黏晶、打線、覆晶接合與封膠等，把晶粒裝進封裝並接出電極。
  用語解說：先進封裝
  製程用語：封裝與測試

• 先進封裝設備

  HBM、CoWoS 等 2.5D・3D 封裝所需的混合鍵合、暫時接合與重布線等設備。
  用語解說：CoWoS・HBM・先進封裝
  製程用語：封裝與測試

• 測試設備

  以自動測試設備（ATE）、探針卡與分類機，在晶圓階段與封裝後檢查電性。
  主要廠商：愛德萬測試（Advantest）
  用語解說：CoWoS・先進封裝
  製程用語：封裝與測試

晶圓與材料

矽晶圓、光阻、研磨液、特殊氣體等材料，日本廠商在多個品項擁有很高的市占。

• 矽晶圓

  製造半導體的基板。以單晶矽棒切片、研磨而成，主流尺寸為 12 吋（300mm）。
  主要廠商：信越化學（Shin-Etsu）・勝高（SUMCO）・環球晶圓（GlobalWafers）
  用語解說：磊晶

• 光阻

  微影製程中感光並形成圖形的材料，依曝光光源分為 KrF、ArF、EUV 等。
  主要廠商：信越化學（Shin-Etsu）
  用語解說：EUV（極紫外光）微影・光阻
  製程用語：微影（曝光）

• CMP 研磨液

  CMP 中與研磨墊一起使用的研磨液，依研磨對象（氧化膜、銅、鎢等）而不同。
  用語解說：CMP（化學機械研磨）
  製程用語：清洗與化學機械研磨（CMP）

• 特殊氣體

  蝕刻、薄膜沉積、離子佈植等使用的高純度氣體。

關於本頁

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