アッシングはO₂プラズマでフォトレジストをCO₂・H₂Oに酸化分解して除去するドライプロセス。SPMウェットストリッピングとの使い分け、ダウンストリーム（リモートプラズマ）方式、Low-kダメージ防止のH₂/N₂プロセスをわかりやすく解説。
アッシング（Ashing）とは、フォトリソグラフィ工程でウェハに塗布したフォトレジスト（感光性樹脂）を、エッチングや注入工程が終わった後に除去するプロセスです。酸素（O₂）プラズマをレジストに当てることで、有機物であるレジストを酸化・燃焼させてCO₂・H₂Oなどの揮発性ガスに分解し、チャンバー内から排気除去します。「レジストストリッピング（Resist Stripping）」とも呼ばれます。
アッシングの原理は、O₂（または O₂/CF₄・N₂H₂などの混合ガス）をプラズマ化して生成した酸素ラジカル（O・）と活性酸素イオンがレジスト（主にノボラック樹脂・化学増幅レジスト等の有機ポリマー）と反応し、炭素骨格を酸化してCO₂・H₂Oに分解します。反応温度は150〜300°C程度で、プラズマパワーと温度を調整して金属・絶縁膜へのダメージを最小化します。
アッシングの方式には「ダウンストリームアッシング（リモートプラズマ）」と「インシトゥアッシング」があります。ダウンストリームアッシングでは、プラズマ生成チャンバーと処理チャンバーを分離し、ラジカルのみ（イオン除去）をウェハに照射するため、デバイス損傷（プラズマダメージ）を低減できます。イオン注入後の硬化レジスト（改質レジスト）の除去には高エネルギーのインシトゥアッシングが効果的です。
アッシングとウェットストリッピング（SPM処理：H₂SO₄+H₂O₂混合液）の使い分けが重要です。アッシングはドライプロセスで環境負荷が低く、微細パターン向きですが、イオン注入でシェル化したレジスト（表面が硬化・クロスリンク）の完全除去には不十分な場合があります。その場合はアッシング後にウェットストリッピング（SPM）で残渣・金属汚染を除去する2ステップ方式が一般的です。
先端プロセスでのアッシングの課題は、Low-k絶縁膜（比誘電率<3.0）へのプラズマダメージです。Low-k膜（SiOC・SiOF等）は多孔質構造のため、酸素ラジカルが浸透してSi-CH₃結合を切断し誘電率を上昇させる「Low-kダメージ」が発生します。これを防ぐためH₂/N₂混合プラズマ（Forming gasアッシング）や低温プロセスが採用されています。主要アッシング装置メーカーはApplied Materials（Radiance）・Lam Research・TEL（Relius）です。
