RIE（Reactive Ion Etching／反応性イオンエッチング）は、ドライエッチングの代表的な方式で、プラズマ中の反応性ラジカル（化学的エッチング）とイオン（物理的スパッタリング）の両作用を組み合わせてウェハ表面の材料を垂直方向に精密に除去します。化学と物理の相乗効果によって、ウェットエッチングでは実現できない異方性（縦方向への選択的エッチング）を実現し、現代の微細パターン形成の中心技術となっています。
RIEの原理は、チャンバー内に導入した反応性ガス（SF₆・Cl₂・C₄F₈・CHF₃など）をRF（高周波）電源でプラズマ化し、生成されたイオンをウェハ（カソード側）に向かって加速させます。イオンは垂直方向に照射されるため、パターン側壁には当たらず底面を優先的にエッチングします（異方性）。ラジカルは化学反応でシリコン・酸化膜などを揮発性化合物に変換して除去します。
RIEの主な変形として、ICP-RIE（誘導結合プラズマ）があります。ICPはコイルアンテナに高周波を印加してトロイダルプラズマを生成し、CCP（容量結合型）より高密度のプラズマを低圧で維持できます。これによりエッチング速度と選択比を独立に制御でき、深溝（DRIE：Deep RIE）や高アスペクト比構造の形成に適しています。
パルス変調RIE（Pulsed RIE）は、RFパワーをパルス状に印加することでイオンエネルギー・プラズマ密度を独立制御し、微細なパターンにおける局所的なエッチングの均一性（マイクロローディング効果の低減）と高選択比を両立させます。先端ロジック（3nm以下）のゲートエッチングや3D NANDのチャネルホール形成に採用されています。
主要装置メーカーはLam Research（Kiyo・Flex系）が世界最大シェアを持ち、東京エレクトロン（Tactras・Certas）、Applied Materials（Producer Etch・Centris）が続きます。エッチング装置は半導体製造装置の中でも成膜装置と並んで最大のセグメントであり、先端ノードへの移行とともに技術革新が継続しています。
