アスペクト比（Aspect Ratio）は、トレンチ（溝）・ビア（穴）・コンタクトホールなどの微細構造における「深さ÷幅（開口径）」の比です。アスペクト比が高い（=深くて細い）ほど、エッチングでの加工も、その後の成膜での埋め込み（ギャップフィル）も難しくなり、先端プロセスの難易度を象徴する指標になります。
高アスペクト比の加工には、垂直性の高い異方性エッチングが必要で、深掘りにはDRIE（深掘り反応性イオンエッチング）などが用いられます。一方、深い穴・溝を空隙（ボイド）なく埋めるには、段差被覆性に優れるALDや、ボトムアップ性の高い成膜・めっきが求められます。
極端な高アスペクト比の代表例が3D NANDのチャネルホールで、積層数の増加とともにアスペクト比は60を超える領域に達しています。ほかにもDRAMのキャパシタ、TSV（シリコン貫通電極）など、高アスペクト構造は先端メモリ・パッケージングの要となっています。
アスペクト比はエッチング・成膜・洗浄のあらゆる工程の限界を規定し、装置・プロセス開発の中心課題です。drieやetching、ald、3d-nandの各項とあわせて読むと、なぜ高アスペクト比加工が難しく重要なのかが理解できます。装置はLam Research・東京エレクトロン・Applied Materialsなどが手がけます。
