ディスクリート半導体(個別半導体)とは

Discrete Semiconductor

最終更新:2026-10-07・製造プロセス・ディスクリート半導体|用語集のExcel・PDF版をダウンロード

ディスクリート半導体(個別半導体)とは?

ディスクリート半導体(個別半導体)とは、ダイオードやトランジスタなど、1つのパッケージに単一機能の素子を収めた半導体部品の総称です。多数の素子を1チップに集積した集積回路(IC・LSI)と対比される概念で、パワー制御・電源回路・車載など、大電流や高耐圧を単体で扱う用途で今も広く使われています。

定義・解説

ディスクリート半導体(個別半導体)とは、ダイオードやトランジスタなど、1つのパッケージに単一の機能を持つ素子を収めた半導体部品の総称です。多数の素子を1チップに集積した集積回路(IC/LSI)と対比される概念です。

ディスクリート半導体にはダイオード、バイポーラトランジスタ、MOSFET、IGBT、サイリスタ、パワーモジュールなどが含まれ、特に電力を扱うパワー半導体の分野で重要です。ローム・インフィニオン・オンセミ・ルネサス・STマイクロエレクトロニクスなどが主要メーカーで、車載・産業・電源用途に広く使われています。

ディスクリート半導体は1素子1機能のため設計や交換が容易で、大電流・高電圧を扱うパワー用途や、ICに内蔵しにくい特性が必要な場面で使われます。集積回路(IC/LSI)が「多数の素子を1チップに集積して情報処理を行う」のに対し、ディスクリートは「個々の素子で電力変換やスイッチングを担う」役割分担です。

市場では車載(EV・ADAS)、産業機器、再生可能エネルギー、家電が需要を牽引し、SiCやGaNを用いた高効率なパワーディスクリートの伸びが顕著です。ローム、インフィニオン、オンセミ、STマイクロエレクトロニクス、ルネサスなどが主要メーカーです。

図解

ディスクリート半導体と集積回路(IC)の比較
パワー制御・電源・車載で、今も広く使われている。

関連するデータ・ツール

計算ツールダイオード I–V 特性・順方向電圧 計算ツール

この用語を扱う職種

事業・サプライチェーン半導体の製品企画・マーケティング

よくある質問(FAQ)

ディスクリート半導体とは何ですか?▾
ダイオードやトランジスタなど、1つのパッケージに単一機能の素子を収めた半導体部品の総称です。多数の素子を集積した集積回路(IC/LSI)と対比されます。
ディスクリート半導体にはどんな種類がありますか?▾
ダイオード、バイポーラトランジスタ、MOSFET、IGBT、サイリスタ、パワーモジュールなどがあります。特に電力を扱うパワー半導体分野で重要です。
主要メーカーはどこですか?▾
ローム、インフィニオン、オンセミ、STマイクロエレクトロニクス、ルネサスなどが主要メーカーです。EVや産業機器向けにSiC・GaNを使った高効率品の競争が活発です。

デバイスの製造メーカー

ローム(ROHM)日本

パワー半導体・SiCデバイス・LED・抵抗器の総合半導体IDM。日本でSiC事業を早期に強化し、EV・産業機器…

onsemi(ON Semiconductor)米国

パワー半導体・CMOSイメージセンサー・SiCデバイスのIDM大手。EV・ADAS・産業・5G向けに自社ファブ…

Infineon Technologiesドイツ

欧州最大の半導体メーカー。パワー半導体(IGBT・SiC MOSFET)・マイコン・セキュリティICで世界トッ…

ルネサスエレクトロニクス日本

NEC・日立・三菱のシステムLSI部門を統合した日本最大の半導体メーカー。車載マイコン・SoC・MCUで世界首…

STMicroelectronics(ST)スイス

フランス・イタリア合弁で設立された欧州大手半導体メーカー。STM32マイコン・SiCデバイス・MEMS・イメー…

ヴィシェイ・インターテクノロジー(Vishay)米国

ダイオード・トランジスタ等のディスクリート半導体と抵抗器・コンデンサ等の受動部品を幅広く手掛けるグローバル大手…

関連カテゴリ

同じトピックの用語

ディスクリート・光半導体 のトピックで関連する用語です。

同じトピックの企業

日亜化学工業日本東芝日本浜松ホトニクス日本ams OSRAMオーストリア三菱電機(半導体)日本

比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・…
→
CMOSイメージセンサーとCCDの違い
デジタルカメラの普及を支えたのはCCDイメージセンサーでしたが、現在のスマートフォンや車載カメラに入っているのはほぼすべてCMOSイメージセンサー(CIS)です…
→
GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い
GaNは自立基板が高価で入手性も限られるため、実用デバイスの多くは異種基板の上にGaN層をヘテロエピタキシャル成長させて作られます。その基板として競合するのがシ…
→
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ…
→
バイポーラとユニポーラの違い(バイポーラトランジスタとMOSFET)
半導体デバイスは、電流を運ぶキャリアの使い方によって、バイポーラ型とユニポーラ型に分けられます。トランジスタで言えば、昔からあるバイポーラトランジスタと、現在の…
→

出典・参考資料

  1. 東京エレクトロン nanotec museum「半導体用語集:ディスクリート」(2026/10/07 確認)
← 用語集に戻る用語集をExcel・PDFで使う →