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ヴィシェイ・インターテクノロジー(Vishay)

ダイオード・トランジスタ等のディスクリート半導体と抵抗器・コンデンサ等の受動部品を幅広く手掛けるグローバル大手メーカー。車載・産業機器向けに豊富な製品ラインナップを持つ。

🌐 米国IDM公式サイト

当サイトでの位置づけ

Semirai のデバイスメーカーでは、ディスクリート半導体・受動部品のグローバル大手として位置づけられます。

企業の強み

ディスクリート半導体・受動部品を総合展開
車載・産業機器向けに幅広い実績
グローバルな生産・供給網

主要製品・ソリューション

半導体デバイス・受動部品

  • ダイオード
  • トランジスタ
  • 抵抗器・コンデンサ

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、ヴィシェイ・インターテクノロジー(Vishay)を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

ダイオードとは →ディスクリート半導体(個別半導体)とは →パワー半導体とは →

同じトピックの用語

SiC・GaN・RF半導体製造 のトピックで関連する用語です。

化合物半導体とは →エピタキシー(エピ成長)とは →イオン注入とは →SiC(炭化シリコン)とは →GaN(窒化ガリウム)とは →IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)とは →SiC MOSFET(炭化ケイ素パワートランジスタ)とは →RF半導体(高周波半導体)とは →

同じトピックの企業

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比較・違いを学ぶ

SiCとGaN パワー半導体の違い
SiC(炭化ケイ素)とGaN(窒化ガリウム)はともにシリコンを超えるワイドバンドギャップ半導体ですが、得意な電圧域・周波数帯・用途が異なります。SiCは高耐圧・
SiC MOSFETとIGBTの違い(EV・パワーエレクトロニクス比較)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は1990年代から産業用インバーター・鉄道・EV駆動系に広く採用されてきたSiパワ
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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