ローム（ROHM）

電源IC（PMIC：パワーマネジメントIC）は、バッテリーや電源から供給される電圧を、各回路が必要とする電圧に変換・安定化するICです。

オペアンプ（演算増幅器）は、2つの入力の電圧差を大きく増幅するアナログICで、外付けの抵抗やコンデンサとの組み合わせにより、増幅・加算・積分・フィルタなど多様な信号処理回路を構成できます。

パワーMOSFETは、ゲート電圧で大きな電流をオン・オフするスイッチング素子で、数十Vから数百Vまでの低〜中耐圧領域で最も広く使われるパワーデバイスです。

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。

SiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。

GaNパワーデバイスは、窒化ガリウム（GaN）で作った高電子移動度トランジスタ（HEMT）をスイッチング素子として使うパワーデバイスです。

ダイオードは、電流を一方向にだけ流すPN接合を基本とするディスクリート半導体です。

個別トランジスタは、信号の増幅やスイッチングを行う単体の素子で、バイポーラトランジスタや小信号MOSFETなどがあります。

LED（発光ダイオード）は、PN接合に電流を流すと電子と正孔が再結合して光を放つ半導体素子です。

半導体レーザ（レーザダイオード）は、半導体の中で光を共振させて増幅し、波長と位相のそろったレーザ光を出す素子です。

磁気センサは、磁界の強さや向きを検出して電気信号に変える半導体センサです。

SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド（SiC）を基板材料とするパワーデバイス（SiC-MOSFET・SiC-SBDなど）の製造に特化した装置群です。

パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。

化合物半導体製造装置は、GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体デバイス（パワー半導体・RF/マイクロ波デバイス・光デバイス）の製造に特化した装置群です。