STMicroelectronics（ST）

マイコン（マイクロコントローラ、MCU）は、CPUコア・メモリ・タイマー・A/Dコンバータ・通信インタフェースなどを1チップにまとめた制御用の半導体です。

電源IC（PMIC：パワーマネジメントIC）は、バッテリーや電源から供給される電圧を、各回路が必要とする電圧に変換・安定化するICです。

オペアンプ（演算増幅器）は、2つの入力の電圧差を大きく増幅するアナログICで、外付けの抵抗やコンデンサとの組み合わせにより、増幅・加算・積分・フィルタなど多様な信号処理回路を構成できます。

パワーMOSFETは、ゲート電圧で大きな電流をオン・オフするスイッチング素子で、数十Vから数百Vまでの低〜中耐圧領域で最も広く使われるパワーデバイスです。

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。

SiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。

GaNパワーデバイスは、窒化ガリウム（GaN）で作った高電子移動度トランジスタ（HEMT）をスイッチング素子として使うパワーデバイスです。

ダイオードは、電流を一方向にだけ流すPN接合を基本とするディスクリート半導体です。

イメージセンサは、レンズを通った光を画素ごとに電気信号へ変換し、画像として取り出す半導体デバイスです。

MEMSセンサは、半導体の微細加工技術でシリコン上に可動する微小構造を作り、その動きや変形を電気信号として取り出すセンサです。

パワー半導体製造装置は、IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFETなどのパワーデバイスを製造する装置群で、電力変換の効率・耐圧・耐熱性能を決定します。

イオン注入装置は、シリコンなどの半導体基板に不純物イオン（ボロン・リン・ヒ素など）を高エネルギーで打ち込み、トランジスタのソース・ドレイン・ウェル領域の導電型と濃度を精密に制御する前工程の基幹装置です。

成膜装置は、ウェハ表面に絶縁膜、導電膜、半導体膜などの薄膜を数百ナノメートルから原子レベルの厚さで形成する前工程の重要装置です。

DUV露光装置（Deep Ultraviolet Lithography）は、ArFエキシマレーザー（193nm）またはKrFエキシマレーザー（248nm）を光源とした露光装置です。