onsemi（ON Semiconductor）

電源IC（PMIC：パワーマネジメントIC）は、バッテリーや電源から供給される電圧を、各回路が必要とする電圧に変換・安定化するICです。

パワーMOSFETは、ゲート電圧で大きな電流をオン・オフするスイッチング素子で、数十Vから数百Vまでの低〜中耐圧領域で最も広く使われるパワーデバイスです。

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの駆動しやすさとバイポーラトランジスタの大電流特性を組み合わせたパワーデバイスです。

SiCパワーデバイスは、シリコンの約3倍のバンドギャップを持つ炭化ケイ素（SiC）で作ったMOSFETやショットキーバリアダイオードです。

ダイオードは、電流を一方向にだけ流すPN接合を基本とするディスクリート半導体です。

個別トランジスタは、信号の増幅やスイッチングを行う単体の素子で、バイポーラトランジスタや小信号MOSFETなどがあります。

受光素子は、光を受けて電流や電圧に変換する半導体デバイスです。

イメージセンサは、レンズを通った光を画素ごとに電気信号へ変換し、画像として取り出す半導体デバイスです。

SiCパワー半導体製造装置は、シリコンカーバイド（SiC）を基板材料とするパワーデバイス（SiC-MOSFET・SiC-SBDなど）の製造に特化した装置群です。

CMOSイメージセンサー（CIS：CMOS Image Sensor）製造装置は、光を電気信号に変換するフォトダイオードアレイを半導体プロセスで製造する装置群です。