ALD 設備（Atomic Layer Deposition Equipment）是在量產線上執行原子層沉積（ALD）的薄膜沉積設備。交替供應前驅物氣體與反應氣體，並以吹淨（purge）隔開兩者，反覆進行此循環。每 1 個循環可沉積的膜厚約 0.3～2Å（0.03～0.2nm，多數氧化膜約 1Å），不到 1 層原子層，因此比起 ALD 原理本身，「如何快速、均勻且無缺陷地跑完循環」才是設備的設計課題。ALD 的原理與自限制反應，請參閱「ALD（原子層沉積）」用語頁。
量產用 ALD 設備大致分為3種方式。①單晶圓式（每次處理 1 片，或腔體內設有多個工作站的方式）：氣體切換快，容易調校膜質與均勻性，用於邏輯的 High-k/金屬閘極與微細圖案化的間隔層。②空間分割（spatial）方式：讓載有晶圓的承載盤旋轉，通過依氣體區隔的區域，以轉 1 圈＝1 個循環，省去吹淨等待時間以提高產出量。③批次式（立式爐・小批次）：一次對數十～100片以上進行熱 ALD，以低廉的每 1 片晶圓成本沉積 DRAM 或 NAND 較厚的絕緣膜。
選擇設備時，除了膜種與溫度外，比較的面向還包括循環時間（脈衝＋吹淨）、每 1 台的產出量（WPH）、前驅物消耗量、微粒（腔體內的副產物）、維護週期。使用電漿的 PEALD（Plasma Enhanced ALD）可在低溫下成膜，用於金屬連線步驟之後或光阻圖案上的間隔層沉積，但如何兼顧對底層的電漿損傷與階梯覆蓋率是其課題。
主要設備與方式：ASM International（XP4 Pulsar・XP4 EmerALD 的單晶圓式、XP8 系列的多腔體熱 ALD/PEALD）、科林研發（Striker：單晶圓式絕緣膜 ALD）、應用材料（Olympia：旋轉式空間分割 ALD）、東京威力科創（NT333：1 個腔體 6片的半批次空間分割 ALD，TELINDY PLUS IRad：批次式 ALD）、KOKUSAI ELECTRIC（TSURUGI-C² 等小批次式）。ASM International 將自身定位為 ALD 設備的主要供應商。