CVD 設備（Chemical Vapor Deposition Equipment）是執行化學氣相沉積（CVD）製程的半導體製造設備。將原料氣體導入腔體內，以加熱、電漿、光等能量引發化學反應，在晶圓表面均勻沉積各種薄膜材料。在半導體製造設備市場中，薄膜沉積設備是最大的區塊，而 CVD 設備是其核心。
CVD 設備的主要類型有熱 CVD 爐（立式爐：批次式，用於 LPCVD 成膜）、單晶圓式 CVD 設備（單晶圓腔體：製程精度高，適合先進節點）、電漿 CVD 設備（PECVD：低溫成膜用）、ALD 設備（原子層沉積：超薄膜・高保形性成膜用）。在先進邏輯與記憶體中，單晶圓式與 ALD 設備是主力。
主要的沉積材料與設備組合：以 LPCVD 立式爐沉積多晶矽・SiN，以 PECVD 沉積 SiO₂（TEOS）・SiN・SiCN（層間介電層・保護層），以 ALD 沉積 HfO₂（High-k 閘極絕緣膜）・TiN/TaN（阻障金屬・閘極電極）・Al₂O₃（DRAM 電容絕緣膜），以 W-CVD 沉積鎢（接觸窗填充）為代表。
先進 CVD 設備的技術競爭重點包括：（1）晶圓面內與晶圓間的膜厚均勻性（<0.5%）、（2）階梯覆蓋率（高深寬比下的覆蓋率）、（3）兼顧沉積速率（產出量）與膜質（純度・密度・應力）、（4）製程溫度低溫化（降低對元件的熱影響）、（5）前驅物的有效利用（降低材料成本）等。
主要的 CVD 設備廠商有應用材料（Centura・Producer：全球市占最大）、科林研發（ALTUS、Vector CVD/ALD）、東京威力科創（Telindy Plus、Triase）、ASM International（Polygon・Pulsar ALD：ALD 專業廠商中全球市占最大）、Kokusai Electric（原日立國際電氣，立式爐的領導廠商）等。