結論：ナノインプリント（NIL）とEUV露光の違いは？
ナノインプリント（NIL）とEUVの最大の違いは「パターン転写の原理」です。NILはモールド（鋳型）をレジストに物理的に押し付けて転写する機械的手法で、モールド精度次第で5nm以下も理論上可能、装置価格も数十億円程度とEUVより大幅に安価です。EUVは13.5nmの極紫外光を反射光学系で照射する光学リソグラフィで、1台200億円超ながら200〜220枚/時のスループットを持ちます。NILはオーバーレイ精度とスループットの安定化が課題です。
比較表
ナノインプリント（NIL）EUV露光
| 観点 | ナノインプリント（NIL） | EUV露光 |
|---|---|---|
| パターン転写原理 | モールド（テンプレート）をレジストに物理的に押し付けて転写 | 13.5nm極紫外光を反射光学系でウェハ上のレジストに照射 |
| 解像度・ピッチ | モールドの精度依存で5nm以下のパターンも理論上可能 | 単一露光で13nm程度のハーフピッチ、High-NA EUVで8nm台 |
| 装置コスト | EUVより大幅に安価とされる（キヤノンHARPは数十億円程度の見通し） | 1台200億円超（ASML NXE:3600D） |
| スループット | 現状ではEUVより低い。重ね合わせ（オーバーレイ）精度の安定化が課題 | 200〜220枚/時（最新機種） |
| 欠陥・確率論的効果 | モールドの欠陥がそのままウェハに転写されるため欠陥管理が極めて重要 | 光子ショットノイズによる確率論的効果が課題（EUVレジスト研究が進行中） |
| 真空環境 | 低真空〜大気圧で動作可能（EUVより環境要件が緩い） | 高真空必須（大気中では光が吸収されるため） |
| 主要装置メーカー | キヤノン（HARP）・Molecular Imprints（現Kioxia傘下） | ASML（世界唯一の量産EUV供給社） |
| 量産採用実績 | Kioxiaが3D NAND向けに試験的採用開始（2024年） | 7nm以下の最先端ロジックで標準技術として確立 |
キヤノンのNIL装置「HARP」が注目される理由
キヤノンは2023年にNIL装置「FPA-1200NZ2C（HARP）」を発表し、2024年にKioxiaの3D NANDフラッシュ製造ラインへの試験導入を開始しました。NILはEUVに比べ装置コストが低く、光子ショットノイズに起因する確率論的パターン不良がない点が利点です。一方でモールド（テンプレート）の欠陥管理と大量生産でのオーバーレイ精度確保が量産化の課題です。
EUVとNILは競合か補完か
現時点ではEUVがロジック先端層（コンタクト・ビア・フィン形成）を担い、NILは周期的パターンが多い3D NANDメモリ層での補完的活用が現実的です。ASMLのHigh-NA EUVが2030年代前半まで最先端ロジックをカバーすると見られ、NILとEUVが直接競合する場面はすぐには来ないとの見方が多いです。長期的にはNILがNANDや将来ノードの特定層で差別化できるか注目されています。