結論：ReRAM（抵抗変化メモリ）とMRAM（磁気抵抗メモリ）の違いは？
ReRAMとMRAMの最大の違いは「抵抗を変える物理原理」です。ReRAMは金属酸化膜中に導電フィラメントを生成・消滅させて抵抗を変える方式で、MIM（金属-絶縁体-金属）構造がシンプルで微細化に向き低電圧書き込みも可能ですが、フィラメントの劣化により書き換え耐性は中程度に留まります。MRAM（特にSTT-MRAM）は磁気トンネル接合（MTJ）の磁化方向で抵抗を変える方式で、10¹²回以上という高い書き換え耐性とSRAMに迫る読み書き速度を持ちます。
比較表
ReRAM（抵抗変化メモリ）MRAM（磁気抵抗メモリ）
| 観点 | ReRAM（抵抗変化メモリ） | MRAM（磁気抵抗メモリ） |
|---|---|---|
| 記憶原理 | 金属酸化膜中の導電フィラメント生成/消滅で抵抗変化 | 磁性層（MTJ）の磁化方向で抵抗変化 |
| セル構造 | MIM（金属-絶縁体-金属）で単純・微細化向き | 磁気トンネル接合（MTJ）＋選択トランジスタ |
| 書き換え耐性 | 中程度（フィラメント劣化が課題） | 高い（10の12乗回以上、ほぼ無限に近い用途も） |
| 速度 | 高速書き込み・低電圧 | 高速（SRAMに迫る読み書き、STT-MRAM） |
| ばらつき・課題 | フィラメント生成のばらつき・保持特性 | 書き込み電流・微細化時の熱安定性 |
| 主な用途 | 組み込みeNVM・IoT・エッジAI | 組み込みSRAM/フラッシュ置換・キャッシュ・車載 |
ReRAMの位置づけ
ReRAMはMIM構造というシンプルさが魅力で、微細化・クロスポイント積層に向きます。書き込みが高速・低電圧でフラッシュより扱いやすい一方、フィラメント生成のばらつきに起因する歩留まり・保持特性の確保が量産化の鍵です。マイコン混載のeNVMやIoT向け低消費電力メモリとして応用が進みます。
MRAMの位置づけ
MRAM（STT-MRAM）は磁気トンネル接合の磁化方向でデータを保持し、極めて高い書き換え耐性と高速性を持ちます。SRAM/組み込みフラッシュの置き換えとして、TSMC・Samsung・GFなどが組み込みMRAMを量産化しています。微細化時の磁化熱安定性と書き込み電流の低減が技術課題です。
どう使い分けるか
高い書き換え耐性・高速性が必要なキャッシュ/フラッシュ置換にはMRAM、シンプル構造・低コスト・高密度を狙う組み込み不揮発メモリにはReRAMが向きます。いずれもPCM（相変化メモリ）と並ぶ新世代NVMとして、用途特性に応じた使い分けが進んでいます。