MRAM（Magnetoresistive Random-Access Memory：磁気抵抗メモリ）とは、磁性体の磁化方向によりデータを記憶する不揮発性メモリです。電源を切ってもデータが保持される不揮発性と、SRAMに近い高速アクセス（10〜50ns）・高書き込み耐久性（10¹²回以上）を兼ね備えており、フラッシュメモリ・DRAMの弱点を補う「ユニバーサルメモリ」候補として注目されています。STT-MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）が現在の主流技術で、Samsung・TDK・Everspin・GlobalFoundriesが量産しています。
MRAMの記憶原理は磁気トンネル接合（MTJ：Magnetic Tunnel Junction）にあります。2枚の強磁性膜（固定層・自由層）と薄いトンネル絶縁膜（MgO）から構成されるMTJセルは、自由層の磁化方向が固定層と平行（低抵抗・「0」）または反平行（高抵抗・「1」）の2状態をとります。STT-MRAMでは書き込み電流のスピン角運動量で磁化方向を反転させ、読み出しは抵抗値の差で行います。
MRAMの用途は組み込みメモリ（eMRAM）と独立メモリの2系統で拡大しています。eMRAMは先端ロジックチップ内のSRAMキャッシュの一部をMRAMで置き換える用途で、GlobalFoundries 22FDX・Samsung SF28などのプロセスに組み込まれています。車載マイコン（ルネサスRH850等）のフラッシュ代替として採用が進んでおり、高温動作・高書き換え耐久性が車載用途に適合します。
SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）が次世代技術として研究されています。STT-MRAMより書き込み速度が1桁以上速く（<1ns）、書き込み電流も低減できるSOT-MRAMは、L1/L2キャッシュのSRAM代替候補として学術界・産業界で活発に研究中です。IMEC・CEA-Leti・各大学がSOT-MRAM試作に取り組み、量産化の課題（MTJの均一性・SOT材料の最適化）の解決を目指しています。
MRAM市場は2026〜2030年に年率25%超の成長が予測されています。特に車載・産業IoT・エッジAIの組み込みメモリ需要が牽引役です。日本ではTDKとSonyがSTT-MRAM開発で存在感を示しており、日本の材料技術（MgO成膜・スパッタリングターゲット）とMRAMの相性の良さから、国内材料メーカーにも恩恵があります。MRAMの量産にはスパッタリング装置（アルバック・東京エレクトロン・Canon Anelva）・CMP装置・ALD装置が使われます。