WLCSPとFOWLPの違い（ウェハレベルパッケージングの比較）
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッケージ基板を使わずウェハ/再構成ウェハ上で配線を形成する点が共通で、I/O数とチップサイズの要求で使い分けます。
結論
WLCSPとFOWLPの最大の違いは「再配線をチップの内側に収めるか外側へ広げるか」です。WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型で、パッケージがチップとほぼ同寸の最小・最薄になりますが、I/O数はチップ面積によって制約されます。FOWLPは再構成ウェハ上でチップの外側へRDLを広げるファンアウト型で、パッケージはチップより大きくなるもののI/O数を増やせます。いずれもパッケージ基板を使わない基板レス構造です。
主な違い
| 観点 | WLCSP（ファンイン） | FOWLP（ファンアウト） |
|---|---|---|
| 再配線の方向 | チップ面積内に端子を収める（ファンイン） | チップ外側へ再配線を広げる（ファンアウト） |
| I/O数 | チップ面積で制約され少なめ | 外側に広げられI/O数を増やせる |
| パッケージサイズ | チップとほぼ同寸（最小・最薄） | チップより大きいが基板レスで薄型 |
| 基板の要否 | 基板レス（RDL＋はんだボール） | 基板レス（再構成ウェハ＋RDL） |
| 製造の起点 | 実デバイスウェハ上で一括処理 | ダイを再配置した再構成ウェハ/パネル上で処理 |
| 代表用途・技術 | 電源IC・センサー・RF等の小型チップ | モバイルAP（TSMC InFO）・高I/Oデバイス |
WLCSP（ファンイン）の特徴
WLCSPは実デバイスのウェハ上に直接RDLとはんだボールを形成し、ダイシングして完成させます。パッケージ外形がチップとほぼ同寸で最小・最薄を実現できますが、端子をチップ面積内に収めるため高I/O化には限界があります。電源IC・センサーなど小型・低I/Oチップに最適です。
FOWLP（ファンアウト）の特徴
FOWLPは個片化したダイを所定間隔で再配置した『再構成ウェハ（パネル）』を作り、その上にRDLを形成して端子をチップ外側へ広げます。これによりチップ面積に縛られず多くのI/Oを確保でき、TSMCのInFOはモバイルAPに採用されています。大判化したFOPLP（パネルレベル）への発展もあります。
連続した技術系譜
両者は対立技術ではなく、I/O数が増えてファンインで足りなくなるとファンアウトへ移行する連続したスペクトラムです。チップサイズ・I/O数・コスト・薄型要求に応じて、WLCSP→FOWLP→FOPLPと選択肢が広がっています。
よくある質問
WLCSPとFOWLPの最大の違いは何ですか？
再配線の方向です。WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げるファンアウト型です。FOWLPはチップ面積に縛られず多くのI/Oを確保できます。
どちらが小さいですか？
WLCSPのほうが小さく、パッケージ外形がチップとほぼ同寸（チップスケール）になります。FOWLPはチップより大きくなりますが、パッケージ基板を使わない基板レス構造で薄型化できます。
InFOはFOWLPですか？
はい。InFO（Integrated Fan-Out）はTSMCのファンアウト型ウェハレベルパッケージング（FOWLP）技術で、スマートフォンのアプリケーションプロセッサなどに採用されています。
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出典・参考資料
- 東京エレクトロン nanotec museum「半導体用語集：WLCSP」（2026/10/07 確認）
- Synopsys「What is Advanced Semiconductor Packaging?」（2026/10/10 確認）