FET（電界効果トランジスタ、Field-Effect Transistor）とは、ゲート電極に加えた電圧が作る電界によって、ソース・ドレイン間に流れる電流を制御する半導体素子です。電圧駆動で消費電力が小さく、現代の集積回路の主役となっています。
FETには絶縁ゲートのMOSFET、接合型のJFET、化合物半導体を使うHEMTなどがあります。電子または正孔の一方のみで動作するユニポーラ素子で、2種類のキャリアを使うバイポーラトランジスタと対比されます。MOSFETを微細化したFinFETやGAA（ゲートオールアラウンド）が最先端ロジックの中心です。
FETはゲート・ソース・ドレインの3端子を持ち、ゲート電圧でチャネルの導通を制御します。入力がほぼ電圧のみで駆動でき入力インピーダンスが高いため、消費電力が小さく大規模集積に向きます。これがバイポーラトランジスタとの大きな違いです。
FETの代表がMOSFETで、n型とp型を相補的に組み合わせたCMOSが現代のデジタルLSIの基本です。微細化に伴いプレーナ型からFinFET、さらにGAA（ゲートオールアラウンド）へと立体構造が進化しています。化合物半導体を使うHEMTは高周波・高出力用途で活躍します。
