HEMT（高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor）とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス（2DEG）を利用した高速FETです。電子が不純物散乱を受けずに走行するため、極めて高い移動度と高周波特性を実現します。
GaAsやGaN（窒化ガリウム）を用いたHEMTは、5G/6G基地局やレーダー、衛星通信などの高周波・高出力用途に使われます。さらにGaN HEMTは高効率パワーデバイスとして電源やEV分野でも急速に普及しています。インフィニオンやウルフスピードなどが主要メーカーです。
HEMTは、バンドギャップの異なる2つの化合物半導体を接合したヘテロ界面に、自然に高密度の電子の層（2次元電子ガス、2DEG）が生じる現象を利用します。電子が供給層の不純物から空間的に分離されて走行するため散乱が少なく、極めて高い移動度が得られます。
GaAs系HEMTは衛星通信やレーダーなどの超高周波で長く使われ、近年はGaN系HEMTが高周波・高出力を両立して5G/6G基地局やパワーデバイス分野で急成長しています。インフィニオン、ウルフスピード、ブロードコムなどが主要なプレーヤーです。