Verdict結論
決定性的差異在於是否進行質量分離。射束線式以質量分析器只篩選出目標離子種類並以射束照射，因此能精密控制分布。電漿摻雜（PLAD）不做分離，而是從電漿一次將離子引入整面，因此即使在低能量・高劑量下生產力仍高，也能共形地佈植到溝槽側壁這類三維結構，但會伴隨不需要元素的混入與能量分布的擴大。
主要差異
| 比較項目 | 射束線式離子佈植 | 電漿摻雜（PLAD） |
|---|---|---|
| 質量分離 | 有（以質量分析器只篩選目標離子） | 無（將電漿中的離子一併引入） |
| 分布控制 | 能精密且獨立地控制能量與劑量 | 能量分布較寬，精度較差 |
| 低能量・高劑量 | 空間電荷效應使射束電流下降，耗時較長 | 擅長（即使在1keV以下也能確保生產力） |
| 對三維結構的適應性 | 射束直進，側壁與底部容易不均勻 | 由鞘層供應離子，共形性優異 |
| 污染・損傷 | 經過分離，不需要元素的混入較少 | 氫與分子離子也會進入，容易產生表面損傷 |
| 傾角・扭轉角控制 | 可任意設定，也能對應環形（halo）佈植 | 不適用角度控制的概念 |
| 主要適用製程 | 通道摻雜、環形佈植、井區形成 | 接觸窗部位的高濃度層、3D 結構的側壁 |
| 代表廠商 | 應用材料、Axcelis、住友重機械、日新離子機器 | 應用材料、PSK 等 |
射束線式在低能量區吃力的原因
降低加速電壓時，離子之間的庫侖排斥（空間電荷效應）會使射束發散，能輸送到晶圓的電流急遽減少。結果是打入高劑量需要很長時間，生產力下降。射束線式對此的因應方式，包括以高能量輸送、在晶圓前方減速的減速（decel）方式，以及使用 BF₂⁺或團簇離子，以1次入射實質達到低能量・高劑量的手法。PLAD 不需要長距離輸送射束，因此本來就沒有這個限制。
在三維結構中，共形性就變得關鍵
FinFET 的鰭片側壁、DRAM 的電容、3D NAND 的深結構等，在非平面位置導入摻雜物的需求增加了。以傾斜的直進射束照射的射束線式，難以均勻地佈植到深結構的底部或背光面的側壁。PLAD 的離子由包圍晶圓的鞘層供應，對立體形狀能進行相對均勻的摻雜，因此在這個領域的採用逐漸擴大。
不是競爭，而是依製程分工
由分布精度決定良率的製程（決定臨界電壓的通道摻雜、必須斜角佈植的環形佈植、深井區形成）由射束線式負責；高劑量、低能量、立體結構這些條件齊備的製程（接觸窗部位的高濃度層、3D 結構的側壁）則由 PLAD 負責，這樣的分工已經確立。晶圓廠會同時擁有兩種設備，並依製程分配。
常見問題
不做質量分離會有什麼問題？
因為電漿中除了摻雜物之外，還存在分子離子與氫，這些也會一起被打入。這會造成不需要元素的混入與表面損傷，而且能量分布並非單一，難以照預期建構深度方向的分布。
PLAD 會取代射束線式嗎？
不是取代，而是分工。需要分布精度的製程仍由射束線式負責。PLAD 則是作為專門因應低能量、高劑量、立體結構這些射束線式不擅長之條件的選項而併用。
環形佈植能用 PLAD 進行嗎？
不適合。環形佈植是設定大傾角與扭轉角，斜向佈植到閘極正下方端部的製程，本質在於角度控制。對於由電漿經鞘層供應離子的 PLAD 而言，並不適用角度控制這個概念。