Halo佈植（口袋佈植）是以包圍MOSFET源極／汲極周圍的方式，局部以高濃度佈植與通道同導電型雜質的製程。若為nMOS，就在源極／汲極（n型）周圍打入p型；pMOS則相反。目的是抑制短通道效應。
閘極長度變短後，源極與汲極的空乏區會往通道方向延伸並互相靠近，使閘極失去控制力。這會表現為臨界電壓下降（Vth roll-off）、貫穿（punch-through）以及DIBL（汲極引發能障降低）。Halo佈植藉由局部提高源極／汲極邊緣的雜質濃度，從物理上壓制空乏區的擴展，以緩和短通道效應。
佈植是從斜向進行的。由於要一面利用閘極電極作為遮罩，一面讓雜質繞入其正下方的邊緣，典型手法是加上大傾斜角，並將晶圓每次旋轉90度、從4個方向打入的「四向Halo（quad halo）」。就刻意打入閘極陰影區域這點而言，可說是反過來利用遮蔽效應的製程。
它也有副作用。通道邊緣的雜質濃度上升會使載子遷移率下降，降低電流驅動能力。此外，Halo濃度的變異會直接造成臨界電壓的變異（隨機摻雜擾動），微縮越往前推進，這種變異越會壓縮SRAM的操作裕度。
到了FinFET或GAA，情況就不同了。閘極從三面、全面包圍通道的結構本身就能強力抑制短通道效應，因此不必像平面式那樣依賴Halo佈植，可以採用通道不摻雜（undoped）的設計來減少變異。Halo佈植是支撐平面式CMOS微縮的代表性技術。