投影射程（Rp：Projected Range）是指經加速的離子射入晶圓後，到停止為止所前進深度的平均值。打入的摻雜物並非集中於1點，而是形成以Rp為中心的分布，其寬度以標準差ΔRp（straggle，歧離）表示。離子佈植的深度方向分布，大致可用這2個參數來描述。
離子在固體中會受到2種減速作用：與靶原子原子核碰撞所造成的核阻止能力（在重離子、低能量時為主導），以及與電子交互作用所造成的電子阻止能力（在輕離子、高能量時為主導）。由於這個比例隨元素與能量而變，即使加速能量相同，Rp也會因離子種類而有很大差異。硼較輕而打得深，砷較重而停得淺，就是這樣的關係。
這個性質直接影響製程設計。想做出淺接面時，硼即使降低能量也無法做得夠淺，因此會改以較重的BF₂⁺佈植，以提高等效質量。反之，要形成深井區時，則需要MeV等級的高能量佈植機。設備之所以分為高電流機、中電流機與高能量機，就是為了對應這些深度與劑量的組合。
實際的分布會偏離高斯分布。往深處延伸的長尾稱為通道效應拖尾（channeling tail），是離子沿著晶軸深入所造成；為了抑制這個現象，會將晶圓傾斜約7度進行佈植，或事先將表面非晶化（PAI）。在設計階段，則以SRIM等蒙地卡羅計算或製程模擬器來預測分布。
此外，佈植剛完成時的Rp，與退火後電性上的接面深度（Xj）是不同的東西。熱處理會使摻雜物擴散，因此Xj比Rp更深，而抑制這段擴散量正是熱預算管理的目的。分布的實測使用SIMS（二次離子質譜分析）。