佈植劑量是指離子佈植時，打入晶圓單位面積的離子總數，單位為atoms/cm²。加速能量決定「打到多深」，劑量則是決定「打入多少」的參數；這2者可以各自獨立控制，正是離子佈植取代熱擴散的最大理由。
實際的控制是透過電流的累積來進行。以法拉第杯量測到達晶圓的離子束電流，將對時間積分所得的電荷量除以每個離子的電荷數，即可求得離子數。由於在達到目標劑量時即停止離子束，佈植本質上是一個「計數電荷」的製程。這裡的問題在於二次電子與充電效應（charge-up）：電荷累積在絕緣膜上時，束流電流的量測值會產生偏差，同時也會造成閘極絕緣膜崩潰（充電損傷），因此佈植時會以電子噴淋（electron shower）一邊中和一邊進行。
各製程的劑量相差數個數量級。用於調整臨界電壓的通道摻雜屬於10¹¹～10¹²atoms/cm²的低劑量，井區形成為10¹²～10¹³，源極／汲極與接觸區的高濃度層則為10¹⁵～10¹⁶atoms/cm²的高劑量。這個差異直接決定設備的分工：低～中劑量使用中電流佈植機，高劑量使用高電流佈植機。
在高劑量佈植中，劑量越高，矽晶體越受破壞而趨向非晶化。適度的非晶化可抑制通道效應、使分布更一致，但若過度，即使退火也無法完全恢復，會以EOR（End of Range）缺陷的形式殘留，成為接面漏電流的原因。劑量不僅決定電性，也同時決定了晶格損傷的程度。
面內均勻性也是重要的管理項目。由於是讓離子束掃描整片晶圓（或以機械方式移動晶圓）來進行佈植，掃描速度的不均會直接變成劑量的偏差。佈植結果最終以退火後的片電阻進行量測，並以面內分布圖的形式評估均勻性。