EUV曝光與DUV曝光最大的差異在於「光源波長」。EUV使用13.5nm的極紫外光，單次曝光即可形成微細圖形，但必須搭配真空環境與反射式光學系統，設備1台要價超過200億日圓，相當昂貴。DUV使用193nm（ArF）、248nm（KrF），結合浸潤式曝光與多重圖案化可涵蓋廣泛的節點範圍，在成本與產能上占優勢。在7nm以下的最先進邏輯製程中，EUV是核心技術。
主要差異
| 比較項目 | EUV曝光 | DUV曝光 |
|---|---|---|
| 代表波長 | 13.5nm（極紫外） | 193nm（ArF）／248nm（KrF）／365nm（i-line）等 |
| 數值孔徑（NA） | 0.33（現行機種）／0.55（High-NA） | ArF浸潤式1.35／ArF乾式約0.93／KrF約0.93 |
| 解析極限參考值（半間距） | 約12nm（NA0.33）／約7nm（NA0.55） | ArF浸潤式 約43nm／KrF 約80nm（單次曝光） |
| 光學系統 | 真空環境、反射式光學（無法使用透鏡） | 以折射透鏡為主，ArF可透過浸潤式曝光提升解析度 |
| 微縮的思路 | 容易以單次曝光形成微細圖形 | 多半需結合多次曝光、多重圖案化來因應 |
| 設備與營運成本 | 極為昂貴，維護要求也很高 | 相較EUV，較容易導入的範圍更廣 |
| 主要適用情境 | 7nm以下至最先進節點的核心 | 成熟至次先進節點，或作為EUV的補充、用於部分層 |
解析度差異從何而來（以瑞利公式試算）
曝光可形成的最小半間距R，可用瑞利公式 R = k₁ × λ ／ NA 估算（λ：波長，NA：投影透鏡的數值孔徑，k₁：製程係數）。若將k₁統一設為0.3，ArF浸潤式（λ=193nm，NA=1.35）約為43nm，EUV（λ=13.5nm，NA=0.33）約為12nm，High-NA EUV（NA=0.55）約為7nm。ArF浸潤式即使把NA提高到1.35，波長仍長了14倍以上，因此比40nm更細的導線間距只能靠SADP、SAQP等多重圖案化來製作。表中的解析極限即為此試算值，實際數值會因降低k₁的照明與光罩技術（OPC等）而改變。
成本的思考方式：不比設備價格，而比「每層所需的製程步驟數」
EUV設備1台超過200億日圓，遠比DUV浸潤式機台昂貴。然而應該比較的不是設備單價，而是製作1個層所需的製程步驟總數。以DUV製作40nm以下間距的SAQP，每1次曝光還要多次加上間隔層沉積、蝕刻、清洗與量測，使製程步驟數、缺陷風險與生產週期（cycle time）增加。若能以EUV單次曝光取代，就能一併省去這些步驟。因此在最先進節點中，一般做法是最細的金屬導線層與通孔層使用EUV，其他層則使用DUV。
總結（如何選擇）
在最先進邏輯製程的微縮上，以EUV為前提的領域持續擴大。另一方面，DUV仍在各種節點中大量使用，在重視成本與產能平衡的場合會被選用。重要的是依據自家的製程節點、曝光次數與疊對要求，將設備投資與製程設計一併考量。