DUV 曝光機（Deep Ultraviolet Lithography Equipment）是以深紫外光（Deep UV）為光源的縮小投影曝光設備。是現今半導體製造中使用最廣泛的曝光技術，以 KrF 準分子雷射（波長 248nm）與 ArF 準分子雷射（波長 193nm）2種為主流。ArF 浸潤式曝光機（ArFi）搭配多重曝光技術，支撐了直到 5～7nm 節點的量產。
KrF 曝光機（248nm）至今仍用於邏輯的 90～65nm 節點，以及 DRAM、NAND Flash 的部分層。ArF 曝光機（193nm）分為乾式（193nm／乾式：90nm→45nm 節點）與浸潤式（ArFi：45nm 以下）。浸潤式曝光（ArFi）是在投影透鏡與晶圓之間注滿超純水（折射率約 1.44），藉此縮短等效波長（≒相當於 134nm），實現高數值孔徑（NA≤1.35）與高解析度。
ArFi 曝光機至今仍是先進邏輯與記憶體製造的主力，在 EUV 曝光無法對應的部分層（厚膜圖案、以成本效率為優先的層）持續使用。此外，搭配 SADP（自對準雙重圖案化）、SAQP（自對準四重圖案化）等多重圖案化技術，可形成超越 ArFi 解析能力的微細圖案。
DUV 曝光機的主要廠商為艾司摩爾（TWINSCAN NXE/NXT 系列：ArFi 市場約 80% 市占）、尼康（NSR-S631E 系列 ArFi）、佳能（FPA-8300EX6a 系列）。艾司摩爾在 EUV 與 DUV 兩方面都擁有壓倒性的市場地位。
DUV 曝光機與 EUV 設備（每 1 台 150～200億日圓）相比成本低得多（每 1 台約 20～50億日圓），因此在難以導入 EUV 的成熟節點及中國半導體晶圓廠方面需求持續。由於美國的對中出口管制（限制 EUV・ArFi 設備出口），尼康、佳能較舊的 KrF/i-line 設備在中國市場重新受到重視，是受地緣政治影響很大的設備類別。