曝光機是什麼
曝光機（微影設備）是利用光將光罩（reticle）上的電路圖形轉印至晶圓上光阻的設備群。肩負半導體製造的核心製程，圖形的微縮程度直接決定最終產品的效能與積集度。依所用光源波長分為 i-line（365nm）、DUV（248nm/193nm）、EUV（13.5nm），波長越短越能形成微細圖形。先進製程（7nm 以下）必須使用 EUV 曝光，設備單價高達數百億日圓。由於曝光精度（疊對、解析度、焦深）左右製造良率與設計自由度，需要與薄膜沉積、蝕刻設備搭配進行整體製程最佳化。透過量測設備的回饋控制，維持奈米以下的位置精度。
主要細分類
- •烘烤・UV 固化設備
- •塗佈顯影機（Coater/Developer）
- •DUV 曝光機
- •電子束直寫設備
- •EUV 曝光機
- •i-line 步進曝光機（Stepper）
- •雷射直寫設備
- •光罩對準曝光機（Mask Aligner）
- •奈米壓印微影（NIL）
重點整理
相關用語
比較文章
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前段製程設備的其他分類
清洗設備是在半導體製造製程中去除晶圓表面微粒（微粒子）、金屬雜質、有機物、原生氧化層等汙染物質，使用頻率最高的重要前段製程設備。
CMP 設備CMP（Chemical Mechanical Planarization：化學機械研磨）設備結合化學作用與機械研磨，將晶圓表面的凹凸平坦化至奈米等級，是前段製程的核心設備。
薄膜沉積設備薄膜沉積設備是在晶圓表面形成絕緣膜、導電膜、半導體膜等薄膜的前段製程重要設備，膜厚從數百奈米到原子等級。
蝕刻設備蝕刻設備是從晶圓上的薄膜去除不需要的部分、形成微細電路圖形的前段製程核心設備。
檢測設備檢測設備是偵測晶圓製程各步驟所產生的缺陷，以提升良率並確保品質的設備群。
離子佈植機離子佈植機是將雜質離子（硼、磷、砷等）以高能量打入矽等半導體基板，精密控制電晶體源極、汲極、井區的導電型與濃度的前段製程關鍵設備。
光罩製造設備光罩製造設備（光罩／reticle 製造設備）是製造、檢測與修補半導體曝光製程所用光罩（reticle）的設備群。
量測設備量測設備是精密測量晶圓製程中圖形尺寸、膜厚、疊對（位置偏移）等數值的設備群。
熱處理設備熱處理設備是將半導體晶圓加熱至高溫（約 200～1100°C），進行雜質活化、氧化膜形成、矽化物形成、退火（晶格缺陷修復）等熱反應的前段製程重要設備群。