High-NA EUV與傳統EUV最大的差異在於「數值孔徑（NA）」。High-NA將NA從0.33提高到0.55，能以單次曝光形成約8nm的半間距（ASML EXE系列，推估超過350～400億日圓）。傳統EUV為NA=0.33，半間距約13nm（ASML NXE系列，170～200億日圓左右）。High-NA的目的是在2nm以後避免多重圖案化，但初期機型的產能仍是課題。
主要差異
| 比較面向 | High-NA EUV（EXE） | 傳統EUV（NXE） |
|---|---|---|
| 數值孔徑（NA） | NA = 0.55（High-NA） | NA = 0.33（Low-NA） |
| 理論解析度（HP） | 半間距：約8nm（k₁=0.33時） | 半間距：約13nm（k₁=0.33時） |
| 代表設備 | ASML EXE:5000（開發機）/ EXE:5200（量產機） | ASML NXE:3600D / NXE:3800E |
| 設備價格（推估） | 超過350～400億日圓（EXE:5200） | 170～200億日圓左右（NXE:3800E） |
| 產能（WPH） | 初期機型EXE:5000：20～90 WPH（量產機EXE:5200目標：180+ WPH） | NXE:3800E：220 WPH（已有量產實績） |
| 光罩縮小倍率 | 變形光學（4x×8x縮小）：光罩設計與傳統不相容 | 等向縮小4x×4x：可沿用既有設計資產 |
| 光罩尺寸 | EXE用High-NA光罩（需重新設計） | 傳統EUV光罩（6吋見方） |
| 光罩保護膜 | 高穿透率（>90%）的新型光罩保護膜開發中，實用化仍有課題 | 光罩保護膜採用持續推進（已用於量產晶圓廠） |
| 商業量產時程 | 預定2025年底～2026年用於Intel 18A。台積電・三星為2027年以後 | 2019年起量產中。台積電N7以後全面採用 |
| 主要適用節點 | 2nm以後（Intel 18A/14A、TSMC N2以後的關鍵層） | 7nm～2nm（現行最先進節點的主力） |
High-NA為何能提升解析度：變形光學的原理
曝光解析度由R=k₁×λ/NA決定，NA越大越能畫出細微的圖形。High-NA EUV將NA從0.33提高到0.55，但為了在晶圓側實現高NA，光學系統變成非對稱（變形，anamorphic），縮小倍率從傳統的4x×4x變為4x×8x。因此光罩圖形必須在橫向拉長2倍設計，既有的EUV光罩設計資產無法沿用，需要重新設計光罩。此外曝光場尺寸也從傳統的26mm×33mm減半為26mm×16.5mm，曝光同一顆晶片的次數增加，成為產能下降的原因之一。
英特爾率先採用High-NA EUV的原因
英特爾以恢復「Intel Foundry」的先進製程競爭力為目標，將High-NA EUV定位為最重要的投資之一。計畫在Intel 18A（目標2025年底量產）與14A製程採用，並於2023年全球首家接收ASML EXE:5000。在台積電與三星預計2027年以後才全面採用的情況下，英特爾的策略是藉由率先採用，在產品路線圖與爭取客戶上取得優勢。不過初期產能偏低與新光罩設計成本仍是課題，早期量產化的技術門檻依然很高。
光罩保護膜與產能：High-NA普及的2大課題
High-NA EUV要商業化有2個重大課題。①光罩保護膜：保護EUV光罩免受微粒汙染的光罩保護膜，在傳統EUV上仍持續開發，而High-NA因NA更大（高角度光線），需要穿透率超過90%的薄型光罩保護膜。目前艾司摩爾、imec與各家廠商正在開發。②產能：初期的EXE:5000為20～90 WPH，不足以量產，量產機EXE:5200的目標是180 WPH以上。達到與NXE:3800E（220 WPH）並駕齊驅的產能，是採用於量產的關鍵。