Verdict結論
奈米壓印（NIL）與EUV最大的差異在於「圖形轉印的原理」。NIL是將模具物理性地壓在光阻上進行轉印的機械式方法，取決於模具精度，理論上可達5nm以下，設備價格約數十億日圓，遠比EUV便宜。EUV是以反射光學系統照射13.5nm極紫外光的光學微影，雖然每1台超過200億日圓，但擁有每小時200～220片的產能。NIL的課題在於疊對精度與產能的穩定化。
主要差異
| 比較面向 | 奈米壓印（NIL） | EUV曝光 |
|---|---|---|
| 圖形轉印原理 | 將模具（模板）物理性地壓在光阻上進行轉印 | 以反射光學系統將13.5nm極紫外光照射到晶圓上的光阻 |
| 解析度・間距 | 取決於模具精度，理論上可形成5nm以下的圖形 | 單次曝光約13nm半間距，High-NA EUV可達8nm等級 |
| 設備成本 | 據稱遠比EUV便宜（佳能HARP預計約數十億日圓） | 每1台超過200億日圓（ASML NXE:3600D） |
| 產能 | 目前低於EUV，疊對（overlay）精度的穩定化是課題 | 每小時200～220片（最新機型） |
| 缺陷・隨機效應 | 模具缺陷會直接轉印到晶圓上，因此缺陷管理極為重要 | 光子散粒雜訊造成的隨機效應是課題（EUV光阻研究持續進行中） |
| 真空環境 | 可在低真空～大氣壓下運作（環境要求比EUV寬鬆） | 必須為高真空（因為光在大氣中會被吸收） |
| 主要設備廠商 | 佳能（HARP）・Molecular Imprints（現隸屬鎧俠旗下） | 艾司摩爾（全球唯一的量產EUV供應商） |
| 量產採用實績 | 鎧俠開始試驗性用於3D NAND（2024年） | 在7nm以下的最先進邏輯中已確立為標準技術 |
佳能NIL設備「HARP」受矚目的原因
佳能於2023年發表NIL設備「FPA-1200NZ2C（HARP）」，並於2024年開始在鎧俠的3D NAND快閃記憶體生產線進行試驗性導入。與EUV相比，NIL的設備成本低，且不會出現光子散粒雜訊所造成的隨機性圖形不良，這是其優點。另一方面，模具（模板）的缺陷管理與大量生產時的疊對精度確保，是量產化的課題。
EUV與NIL是競爭還是互補
目前較實際的分工是：EUV負責邏輯的先進層（接觸窗・通孔・鰭片形成），NIL則在週期性圖形較多的3D NAND記憶體層中作為互補運用。預料艾司摩爾的High-NA EUV將涵蓋最先進邏輯直到2030年代前半，因此多數看法認為NIL與EUV直接競爭的局面不會很快到來。長期而言，NIL能否在NAND或未來節點的特定層中建立差異化，備受關注。
常見問題
奈米壓印會取代EUV嗎？
在不久的將來全面取代的可能性不高。EUV是在最先進邏輯中已確立的技術，並持續朝High-NA EUV演進。NIL較實際的近期前景，是在3D NAND記憶體或特定重複圖形層中作為互補運用。
佳能的NIL設備價格大約多少？
佳能並未公布具體價格，但與EUV（每1台超過200億日圓）相比便宜許多，是其最大的賣點。業界推測約為數十億日圓。
NIL最大的課題是什麼？
最大的課題是模具（模板）的缺陷管理與疊對精度的穩定化。模具上的刮傷或異物會轉印到數百片晶圓上，因此零缺陷的模板製造與檢測極為重要。