CoWoS是什麼
CoWoS 是台積電開發的 2.5D 先進封裝技術：把運算晶片與 HBM 記憶體並排放在中介層上，再接到封裝載板，讓晶片之間以極短距離、極高頻寬互連。
名稱
- 台灣
- CoWoS
- 英文
- Chip on Wafer on Substrate (CoWoS)
CoWoS 是什麼
名稱可以拆成三段來理解：先把晶片（Chip）接合到晶圓狀態的中介層（Wafer）上，再把整組接到載板（Substrate）上。中介層上有非常細的導線，讓並排的晶片之間可以拉出數千條以上的連線。
傳統封裝的晶片之間要透過載板走線，距離長、連線數有限。CoWoS 讓 GPU 等運算晶片與 HBM 堆疊放在同一個中介層上，大幅提高記憶體頻寬，因此成為 AI 加速器的主流封裝方式。
CoWoS 的三種類型
CoWoS-S：使用矽中介層，導線最細、密度最高。中介層超過單次曝光的範圍時要以多次曝光拼接，面積越大成本越高。
CoWoS-R：以重布線層（RDL）取代矽中介層，成本較低，適合不需要極高密度的連線。
CoWoS-L：在 RDL 中介層裡局部嵌入矽橋（LSI），只在需要高密度的地方使用矽，兼顧大面積與高密度。
製程與相關技術
CoWoS 會用到前段與後段的多種技術：中介層的細線路需要微影與蝕刻；矽中介層要形成矽穿孔（TSV）並磨薄晶圓；晶片與中介層之間以微凸塊接合，最後再覆晶到載板上並進行測試。
台積電把 CoWoS、整合扇出型封裝（InFO）與 3D 晶片堆疊（SoIC）合稱為 3DFabric 平台。CoWoS 屬於 2.5D 並排，SoIC 則是把晶片直接上下堆疊。
相關企業
- 台積電（TSMC）（晶圓代工）
- 迪思科（DISCO）（晶圓切割・研磨設備）
- 愛德萬測試（Advantest）（半導體測試設備（ATE））
最後更新：2026-10-06