HBM是什麼
HBM（高頻寬記憶體）是把多顆 DRAM 晶片以矽穿孔（TSV）垂直堆疊的記憶體，介面寬度遠大於一般 DRAM，是 AI 加速器與高效能運算不可或缺的元件。
名稱
- 台灣
- HBM
- 中國大陸
- 高带宽内存
- 英文
- High Bandwidth Memory (HBM)
HBM 是什麼
一般的 DDR 記憶體以插槽或焊接方式放在主機板上，與處理器之間的距離長、資料線數量有限。HBM 把 4 到 12 層以上的 DRAM 晶片疊在一顆基底晶片（base die）上，以 TSV 貫穿各層，再透過 1024 位元以上的寬介面與處理器相連。
因為介面非常寬，HBM 不需要極高的時脈就能達到很高的頻寬，單位頻寬的功耗也比較低。
封裝方式
HBM 堆疊通常與 GPU 等運算晶片並排放在中介層上，透過微凸塊連接，也就是 CoWoS 這類 2.5D 封裝。HBM 與運算晶片之間的連線多達數千條，無法靠一般載板走線完成。
世代與供應商
HBM 依 JEDEC 規格演進為 HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E 與 HBM4，每一代都提高單一堆疊的頻寬與容量；HBM4 把介面寬度從 1024 位元加倍到 2048 位元。
主要的 HBM 供應商是 SK 海力士、三星電子與美光。製造上需要 TSV 形成、晶圓薄化、微凸塊或混合鍵合等先進封裝技術。
相關企業
- 迪思科（DISCO）（晶圓切割・研磨設備）
最後更新：2026-10-06