DRAM 製程是什麼

DRAM 製程是製造揮發性記憶體 DRAM（Dynamic Random Access Memory）的半導體製造技術。以超高密度重複形成 1T1C（1 個電晶體＋1 個電容）記憶胞結構的電晶體與電容。最先進的 DRAM 在部分層導入 EUV 曝光，微縮已推進至 1Znm 以下。垂直延伸的高深寬比電容（儲存節點）的形成是技術難度最高之處。三星、SK 海力士、美光 3 家幾乎獨占全球 DRAM 生產。

重點整理

以超高密度重複形成 1T1C 記憶胞（1 個電晶體＋1 個電容）圖形

超高深寬比電容（儲存節點）蝕刻是製造的核心難題

自 1Znm 世代起在部分層導入 EUV 曝光，提升圖案化精度

為確保電容容量，採用 High-k 材料（ZrO2、HfO2）

三星、SK 海力士、美光供應全球 90% 以上的寡占市場

常見問題

DRAM 製造中最困難的製程是什麼？

直徑 20～30nm、深度 2～4μm 以上的電容孔（深寬比 50:1 以上）一次蝕刻是最困難的製程。科林研發的高選擇比蝕刻機已成為業界標準設備。

DRAM 製程與邏輯製程有何不同？

邏輯以多樣的電晶體、複雜的導線與低功耗為優先，而 DRAM 則以同一記憶胞的高密度重複與確保電容容量為最優先。使用 EUV 的層數比先進邏輯少，高深寬比蝕刻與 CVD 為核心製程。

HBM（High Bandwidth Memory）的製造與 DRAM 相同嗎？

HBM 是將多片 DRAM 晶片垂直堆疊、以 TSV（矽穿孔）連接的高頻寬記憶體。DRAM 製程大致相同，但會追加 TSV 形成、晶圓薄化、混合鍵合等後段製程。

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比較文章

延伸閱讀

製程的其他分類

2nm 製程是以台積電的 N2（預計 2025 年量產）、英特爾的 Intel 20A/18A、三星的 SF2 等為代表的次世代先進半導體製程。

3nm 製程是指依業界標準「製程節點」命名稱為 3nm 的先進半導體製造技術世代，實際電晶體閘極尺寸在 10nm 級，但在效能、密度、功耗效率方面較前一代（5nm）大幅改善。

5nm 製程是 2020 年前後開始量產的 FinFET 技術成熟世代，以台積電的 N5、三星的 EUV 5nm 為代表。

GAA 製程（Gate-All-Around Process）是形成閘極電極完全包圍電晶體通道四周之結構（GAA：Gate-All-Around）的製程技術。

邏輯製程是製造 CPU、GPU、FPGA、SoC 等運算與控制元件之半導體製程技術的總稱，設計上以高速電晶體切換、低功耗、高積集度為最優先。

記憶體製程

記憶體製程是製造 DRAM、NAND Flash、NOR Flash 等記憶體元件之半導體製程技術的總稱。

Minimal Fab（迷你晶圓廠）

Minimal Fab（迷你晶圓廠）是使用直徑 0.5 英吋的迷你晶圓與局部潔淨化技術，不使用無塵室即可製造半導體、適合少量多樣的生產方式。

NAND Flash 製程是製造非揮發性記憶體 NAND Flash 的半導體技術。

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記憶體半導體（主題）

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