光罩（Reticle）是半導體微影所使用的一種光罩（photomask），是將電路圖案轉印到晶圓上的「原版」。在石英（SiO₂）基板上以鉻（Cr）或相移材料描繪電路圖案，由曝光機縮小投影到晶圓上（一般為4倍縮小，4× 光罩）。1片光罩包含1個世代的導線層圖案，製造先進晶片會使用數十～上百片以上的光罩。
光罩的製造流程依序為「電子束（EB）描繪」→「顯影與蝕刻」→「檢測與修補」→「清洗」。EB 描繪使用 NuFlare Technology 或 JEOL 的光罩描繪設備，其中 NuFlare 擁有超過80%的全球市占率，市場地位壓倒性。描繪後的缺陷檢測使用 Lasertec 的光罩檢測設備，特別是 EUV 光罩用的「Actinic（實際波長）檢測機」，Lasertec 是全球唯一的供應商。
EUV 光罩與 DUV 光罩在結構上根本不同。DUV 光罩為穿透式（讓光通過），EUV 光罩則是反射式，在 Mo/Si 多層膜反射鏡基板上形成 Ru、TaN 吸收層圖案。此外，EUV 光連大氣中的氧氣與水分都會吸收，因此搬運與保管需使用專用的 EUV 光罩盒（EUV 光罩專用 SMIF）。EUV 光罩基板（blank）的主要供應商為信越化學與 SK Electronics。
OPC（Optical Proximity Correction：光學鄰近效應修正）是光罩圖案設計的重要技術。為了修正因光的繞射與干涉，使實際轉印圖案偏離設計值的「光學鄰近效應」，會事先刻意使光罩上的圖案變形。先進邏輯有數十億個以上的 OPC 修正點，需要以 EDA（電子設計自動化）工具進行高效能運算。反向微影（Inverse Lithography）與運用 AI 的 OPC 等新方法的研究也在進行中。
光罩的管理與保護也是半導體製造的重要課題。會在光罩表面裝上稱為光罩保護膜（Pellicle）的薄膜，防止微粒附著造成圖案缺陷。DUV 用光罩保護膜較容易製造，但 EUV 用光罩保護膜難以同時兼顧對 EUV 光的高穿透率（90%以上）與耐熱性、耐久性，三井化學、旭化成與 ASML 正在競相開發。