High-NA EUV 曝光（High Numerical Aperture EUV Lithography）是將數值孔徑（NA：Numerical Aperture）從傳統 EUV 設備的 0.33 擴大到 0.55 的次世代 EUV 曝光技術。提高 NA 可提升解析度，形成比傳統 EUV 微細約1.7倍的圖形（單次曝光即可達 13nm 以下的半間距）。ASML 開發的 EXE:5000 系列是唯一的商用設備，首批機台已於 2024～2025年交付英特爾、台積電、三星。
High-NA EUV 的主要技術革新在於光學系統的大型化。為了將 NA 從 0.33 擴大到 0.55，最終聚光反射鏡（最終反射鏡）的直徑比過去大幅增加，設備高度達約 15m、重量約 350 噸。曝光視野從過去的 26×33mm² 縮小為 11×33mm²，曝光同一晶粒所需的照射次數（shot 數）增加，確保產能成為課題（EXE:5000：每小時 100～185 片）。
各家導入 High-NA EUV 的路線圖不同。Intel 14A（預定 2026～2027年量產）：表明最早導入，計畫結合 RibbonFET（GAA）＋PowerVia（BSPDN）＋High-NA EUV 的超先進製程。TSMC A14（暫稱，2027～2028年）：作為 N2／A16 的 High-NA 版本開發中。Samsung SF1（2027年以後）：三星晶圓代工也已導入評估機。
High-NA EUV 曝光用的光阻，需要與傳統 EUV 用光阻不同的特性。由於曝光視野縮小，每1片晶圓的曝光照射次數增加，因此需要高感度且粗糙度（LER・LWR）小的光阻。金屬氧化物光阻（Metal-Oxide Resist：MOR）作為有力候選正在開發中，JSR（子公司 Inpria）、信越化學、東洋合成 是主要供應商。此外，EUV 光罩的光化（actinic）檢測（以 13.5nm 光進行的缺陷檢測）必須使用 Lasertec 的 ACTIS 設備。
據報導，1台 High-NA EUV 設備的價格超過 3.5億歐元（約550億日圓），EXE:5000 在 2025～2026年的交付台數合計約 10～20台，仍處於初期階段。從設備價格、安裝成本、耗電量（1台超過 1MW）與無塵室面積來看，能夠採用的僅限於資本雄厚的最先進晶圓代工廠（台積電・三星・英特爾）。High-NA EUV 的投資金額已成為 ASML 最大的成長動力，是左右其 2026～2030年業績的最重要產品。