Verdict結論
MRAM與NAND快閃記憶體最大的差異在於「儲存資料的物理原理」。MRAM以磁穿隧接面（MTJ）的磁化方向記錄資料，具備寫入1～10ns的高速性與實質上無限制（10¹²次以上）的抹寫耐久度，適合嵌入式記憶體與車用用途。NAND則以累積電荷記錄資料，寫入需100μs～數ms，TLC的耐久度約3,000～10,000次，但容量大、成本低，最適合作為儲存裝置。
主要差異
| 比較項目 | MRAM（STT-MRAM） | NAND快閃記憶體（TLC/QLC） |
|---|---|---|
| 寫入速度 | ～1～10ns（接近SRAM的高速） | 100μs～數ms（以頁為寫入單位） |
| 讀取速度 | 約10～30ns | 數十μs～數ms |
| 抹寫耐久度 | 實質上無限制（10¹²～10¹⁵次以上） | TLC：約3,000～10,000次，QLC：約1,000次 |
| 功耗 | 待機功耗低，寫入時需要脈衝電流 | 需要高電壓寫入（約15～20V的程式化電壓） |
| 資料保存期間 | 10年以上（有支援−40～150℃的產品） | TLC：5～10年（高溫及大量抹寫後會縮短） |
| 抗輻射性 | 高（磁化方向對輻射的耐受性強） | 低（浮閘會發生電荷流失） |
| 單元位元密度 | 低於NAND（不適合大容量儲存） | TLC：3bit/cell、QLC：4bit/cell，高度積體化 |
| 主要用途 | 車用微控制器（取代eFlash）、IoT、穿戴式裝置、工業設備 | SSD、智慧型手機儲存、資料中心 |
| 代表產品與廠商 | 格羅方德22FDX eMRAM、三星eMRAM、Everspin | 三星、鎧俠、Western Digital、美光、SK海力士 |
eMRAM（嵌入式MRAM）在車用與IoT普及的原因
車用微控制器過去的主流做法是以快閃記憶體（eFlash）儲存程式碼，但在22nm以下的製程節點，eFlash已難以微縮。eMRAM容易整合至28nm～22nm FDSOI等製程節點，在高溫操作（超過150℃）、高抹寫耐久度與抗輻射性方面都優於eFlash。瑞薩RH850等新一代車用微控制器正逐步採用eMRAM。
NAND快閃記憶體短期內仍維持儲存主流的原因
MRAM在速度與耐久度上表現優異，但位元成本高於NAND，不適合大容量儲存。透過3D NAND（超過200層）持續提升容量、降低成本的NAND快閃記憶體，預計到2030年代仍將是SSD與資料中心儲存的主流。MRAM與NAND依用途明確區隔，彼此是互補而非競爭關係。
常見問題
MRAM何時會搭載於智慧型手機？
目前要大規模用於智慧型手機的主儲存仍有困難。由於位元成本高於NAND，不適合大容量儲存。不過eMRAM已有作為部分IoT穿戴式裝置及Arm Cortex-M系列微控制器嵌入式記憶體的採用實績。
SOT-MRAM與STT-MRAM有何不同？
STT-MRAM（Spin Transfer Torque，自旋轉移力矩）是讓寫入電流直接流經MTJ的方式，為目前的主流。SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque，自旋軌道力矩）則將寫入與讀取的電流路徑分開，能以更高速、更低電流寫入，作為新一代技術正持續研究中。
MRAM可以直接替換一般的快閃記憶體嗎？
若是介面相容產品（NOR相容MRAM等），有時可以替換。但由於寫入協定與電壓不同，能否在不變更設計的情況下直接相容，需依產品個別確認。