NAND Flash是將多個浮動閘極電晶體以NAND（反及）方式連接而成的非揮發性半導體記憶體。即使關閉電源也能保存資料，作為SSD（固態硬碟）、智慧型手機儲存、USB隨身碟及資料中心的快閃儲存，在全球被大量使用。
NAND Flash依儲存方式可分為SLC（1個單元存1位元：高速、高耐用度）、MLC（1個單元存2位元）、TLC（1個單元存3位元：目前主流）、QLC（1個單元存4位元：大容量、低價格）。每個單元的位元數越多，容量越大、成本越低，但耐用度（可抹寫次數）與速度會隨之下降。
現代的NAND Flash採用稱為3D NAND的立體結構，將記憶單元沿垂直方向堆疊，大幅提升面積效率。2015年三星（Samsung）率先開始量產，目前已實現200層以上的堆疊（主要廠商為三星、SK海力士（SK hynix）、鎧俠（Kioxia）/WD、美光（Micron）、英特爾（Intel，原Solidigm））。
3D NAND的製造包含一連串高難度製程：數十～200層以上SiO₂/SiN交替堆疊的CVD、超高深寬比（100:1以上）的溝槽蝕刻（形成通道孔與狹縫）、High-k材料（Al₂O₃、HfO₂）的ALD成膜，以及多重金屬填充等。隨著層數增加，蝕刻均勻性的控制成為最大的技術課題。
NAND Flash市場以資料中心的AI與雲端儲存需求為主要驅動力，朝QLC大容量SSD的轉移與3D NAND堆疊層數競爭仍持續進行。AI伺服器普及帶動資料量爆炸性成長，從長期支撐NAND Flash的需求。