MRAM（Magnetoresistive Random-Access Memory：磁阻式記憶體）是以磁性體的磁化方向記憶資料的非揮發性記憶體。它兼具斷電後資料仍能保存的非揮發性，以及接近 SRAM 的高速存取（10～50ns）與高寫入耐久度（10¹² 次以上），作為彌補快閃記憶體與 DRAM 弱點的「通用記憶體」候選而受到矚目。STT-MRAM（Spin Transfer Torque MRAM）是目前的主流技術，由三星、TDK、Everspin、格羅方德量產。
MRAM 的記憶原理在於磁穿隧接面（MTJ：Magnetic Tunnel Junction）。由 2 層鐵磁性膜（固定層・自由層）與薄的穿隧絕緣層（MgO）構成的 MTJ 單元，依自由層磁化方向與固定層平行（低電阻・「0」）或反平行（高電阻・「1」），呈現 2 種狀態。STT-MRAM 利用寫入電流的自旋角動量使磁化方向反轉，讀取則依電阻值的差異進行。
MRAM 的用途正沿著嵌入式記憶體（eMRAM）與獨立記憶體 2 條路線擴大。eMRAM 用於以 MRAM 取代先進邏輯晶片內部分 SRAM 快取，已整合進 GlobalFoundries 22FDX、Samsung SF28 等製程。它作為車用微控制器（瑞薩 RH850 等）的快閃記憶體替代方案而逐漸被採用，其高溫運作與高改寫耐久度適合車用用途。
SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）作為次世代技術正在研究中。SOT-MRAM 的寫入速度比 STT-MRAM 快 1 個數量級以上（<1ns），也能降低寫入電流，學術界與產業界正積極研究將其作為 L1／L2 快取的 SRAM 替代候選。IMEC、CEA-Leti 與各大學都在進行 SOT-MRAM 試製，目標是解決量產化的課題（MTJ 的均勻性、SOT 材料的最佳化）。
MRAM 市場預測在 2026～2030年以年增率超過 25% 成長，特別是車用、工業物聯網與邊緣 AI 的嵌入式記憶體需求將扮演帶動角色。在日本，TDK 與索尼在 STT-MRAM 開發上展現存在感，由於日本的材料技術（MgO 成膜・濺鍍靶材）與 MRAM 相當契合，日本國內材料廠商也能受惠。MRAM 的量產使用濺鍍設備（愛發科・東京威力科創・Canon Anelva）、CMP 設備與 ALD 設備。