Verdict結論
ReRAM與MRAM最大的差異在於「改變電阻的物理原理」。ReRAM是在金屬氧化膜中形成・消除導電細絲來改變電阻的方式，MIM（金屬-絕緣體-金屬）結構簡單、適合微縮，也能低電壓寫入，但因細絲劣化，寫入耐久度僅屬中等。MRAM（特別是STT-MRAM）則以磁穿隧接面（MTJ）的磁化方向改變電阻，具備10¹²次以上的高寫入耐久度，以及逼近SRAM的讀寫速度。
主要差異
| 比較項目 | ReRAM（電阻式記憶體） | MRAM（磁阻式記憶體） |
|---|---|---|
| 記憶原理 | 以金屬氧化膜中導電細絲的形成/消除改變電阻 | 以磁性層（MTJ）的磁化方向改變電阻 |
| 單元結構 | MIM（金屬-絕緣體-金屬），結構簡單・適合微縮 | 磁穿隧接面（MTJ）＋選擇電晶體 |
| 寫入耐久度 | 中等（細絲劣化是課題） | 高（10的12次方次以上，部分用途近乎無限） |
| 速度 | 高速寫入・低電壓 | 高速（STT-MRAM讀寫逼近SRAM） |
| 變異・課題 | 細絲形成的變異・資料保存特性 | 寫入電流・微縮時的熱穩定性 |
| 主要用途 | 嵌入式eNVM・IoT・邊緣AI | 取代嵌入式SRAM/快閃記憶體・快取・車用 |
ReRAM的定位
ReRAM的魅力在於MIM結構的簡單性，適合微縮與交叉點（cross-point）堆疊。寫入高速・低電壓，比快閃記憶體容易使用；另一方面，確保因細絲形成變異所帶來的良率與資料保存特性，是量產化的關鍵。其在微控制器內嵌的eNVM及IoT用低功耗記憶體上的應用持續推進。
MRAM的定位
MRAM（STT-MRAM）以磁穿隧接面的磁化方向保存資料，具備極高的寫入耐久度與高速性。台積電、三星、格羅方德（GF）等已量產嵌入式MRAM，用以取代SRAM/嵌入式快閃記憶體。微縮時的磁化熱穩定性與降低寫入電流是技術課題。
如何選用
需要高寫入耐久度與高速性的快取/快閃記憶體替代適合MRAM；追求簡單結構、低成本、高密度的嵌入式非揮發性記憶體則適合ReRAM。兩者與PCM（相變化記憶體）並列為新世代NVM，正依用途特性分別選用。
常見問題
ReRAM與MRAM哪一個寫入耐久度較高？
MRAM（特別是STT-MRAM）的寫入耐久度較優異，可承受10的12次方次以上的寫入。ReRAM屬中等，細絲材料的劣化是耐久度上的課題。
它們會取代快閃記憶體嗎？
並不會立即取代大容量儲存用途的NAND快閃記憶體。目前主要作為內嵌於微控制器的嵌入式非揮發性記憶體（eNVM），或SRAM/嵌入式快閃記憶體的替代方案推進實用化。
與PCM有什麼不同？
PCM（相變化記憶體）以材料的結晶/非晶相改變電阻。ReRAM以氧化膜中的導電路徑、MRAM以磁化方向改變電阻，這3種方式作為新世代NVM並存。