ReRAM（Resistive Random Access Memory：電阻式記憶體）是對金屬氧化物等電阻轉換材料施加電壓，藉由切換高電阻狀態與低電阻狀態來儲存資料的非揮發性記憶體。多數採用以上下電極夾住絕緣膜的簡單 MIM（金屬-絕緣體-金屬）結構，透過施加電壓在膜中生成或消除導電細絲（導電路徑），使電阻產生變化。
ReRAM 的優點包括：結構簡單、適合微縮與堆疊；寫入快速且電壓低，具有介於 DRAM 與快閃記憶體之間的特性。不需要像快閃記憶體那樣以高電壓、低速度進行覆寫，耐寫次數也往往優於 NAND。透過交叉點陣列（cross-point array）架構可實現高密度化，被視為儲存級記憶體與嵌入式用途的候選技術。
課題在於確保運作穩定性、良率與可靠度，這些問題源自細絲生成的變異。如何讓每個記憶單元的電阻值分布一致、如何確保長期保存特性，是量產化的關鍵。材料以 HfOₓ・TaOₓ 等過渡金屬氧化物為主，與 CMOS 製程容易整合這一點也受到肯定。
ReRAM 與 MRAM、PCM（相變化記憶體）並列為新世代非揮發性記憶體之一，特別是作為與微控制器整合的嵌入式非揮發性記憶體（eNVM），實用化正在推進。台積電等晶圓代工廠已提供嵌入式 ReRAM，作為 IoT・邊緣 AI 用的低功耗記憶體，應用範圍持續擴大。