碟陷（Dishing）是指 CMP（化學機械研磨）製程後，導線或插塞等金屬圖案（特別是寬幅圖案）的中央部分被過度研磨而產生凹陷的現象。由於研磨後的金屬表面截面看起來像盤子（dish）一樣凹陷，因而得名。在銅鑲嵌導線製程的銅（Cu）CMP 中特別明顯，是導線電阻增加、寄生電容變化，以及後續製程對焦裕度下降的原因。
碟陷的發生機制在於 CMP 研磨墊具有柔軟性，在填入金屬的溝槽上方會優先接觸金屬，使金屬比周圍絕緣膜更快被去除。特別是越寬的導線（數 μm～數十 μm），研磨墊越容易在導線上方大幅彎曲，碟陷量也有越大的傾向。典型的 Cu 碟陷約為數十 nm～200nm，依製程條件、研磨液與研磨墊而異。
碟陷的影響包括：①電性影響：導線截面積減少造成電阻（R）增加、RC 延遲增大；②形狀影響：後續曝光製程中晶圓表面平坦度下降，對焦裕度減少；③可靠度影響：碟陷量的面內差異會直接造成邏輯與記憶體晶片的效能差異。特別是在先進 CMOS 中，需要將碟陷控制在10nm以下。
降低碟陷的技術對策有：①最佳化研磨液選擇比（調整金屬與絕緣膜的研磨速率比）；②化學添加劑（添加腐蝕抑制劑 BTA：苯并三唑等，抑制銅的過度溶解）；③選擇研磨墊硬度（硬研磨墊的段差追隨性低，可抑制碟陷）；④控制研磨時間與壓力；⑤圖案密度的設計規則（在寬導線中插入開槽／虛擬圖案，降低有效導線寬度）。
碟陷的量測使用 AFM（原子力顯微鏡）或光學式段差計（表面輪廓儀），由晶圓面內多點的量測值評估均勻性。碟陷與侵蝕（導線密集區的過度研磨）一同作為 CMP 品質的主要指標進行管理。應用材料（Applied Materials，Reflexion）、荏原製作所（EBARA，FREX）與 KCTech 在先進 CMP 的碟陷控制技術上相互競爭。