CMP 研磨液（CMP Slurry）是在化學機械研磨（CMP）製程中，與研磨墊一起用於晶圓表面平坦化的研磨液。由奈米尺寸的磨粒（研磨粒子）與化學藥劑精密混合而成，透過機械研磨（磨粒的刮削研磨）與化學溶解（藥劑使材料軟化・溶解）的加乘效果，使晶圓表面達到超平坦化。
CMP 研磨液的主要成分為：（1）研磨粒子（磨粒）：二氧化矽（SiO₂）、氧化鈰（CeO₂）、氧化鋁（Al₂O₃）等奈米粒子（粒徑約 10～100nm），（2）化學藥劑：pH 調整劑（酸・鹼）、氧化劑（H₂O₂ 等）、錯合劑、界面活性劑、防蝕劑等。研磨液的組成會依各種材料與用途精密最佳化。
CMP 研磨液的種類因研磨對象材料而大不相同。氧化膜（SiO₂）CMP 用研磨液一般為氧化鈰粒子＋鹼性藥液，要求高選擇比（SiO₂ 對 SiN）。銅（Cu）CMP 用研磨液為二氧化矽粒子＋H₂O₂＋防蝕劑（BTA：benzotriazole）的組合，課題是兼顧高研磨速率與低碟陷（dishing）・侵蝕（erosion）。鎢（W）CMP 用研磨液則為氧化鋁粒子＋氧化劑系。
在先進節點（5nm 以下），研磨對象日趨多樣與複雜，對研磨液的要求也更高。High-k/金屬閘極 CMP 需要能對 SiO₂・SiN 選擇性研磨 HfO₂・TiN・Ta 等材料的研磨液。此外，研磨後表面粗糙度（Ra<0.1nm）、碟陷（<5nm）與奈米刮傷的管理直接關係到良率。
CMP 研磨液市場的主要廠商有 Entegris（收購 Cabot Microelectronics 後全球市占最大）、CMC Materials（與 Inpria 合併）、昭和電工材料（日立化成）、Fujimi Incorporated、AGC（原旭硝子）等。使用後研磨液的廢液處理與回收，在環境與成本面也是重要的課題。