侵蝕（Erosion）是指 CMP（化學機械研磨）製程後，在導線圖案高密度聚集的區域（線／間距圖案的 Active 區域），不僅導線、連周圍絕緣膜也被過度研磨而使整體下降的現象。在導線密集處，研磨墊容易局部下陷，導線與絕緣膜整體會比周邊孤立導線處更深。與碟陷（導線內的凹陷）不同，侵蝕的特徵是整個圖案的高度下降。
侵蝕的發生機制在於 CMP 研磨墊的「局部彎曲」與導線的「圖案密度依存性」。在導線密集處（例如密度50%以上），研磨墊均等地壓在導線與絕緣膜上，研磨液的接觸壓力維持在高水準，因此在導線（例：Cu）研磨結束後，仍會過度研磨絕緣膜（SiO₂、low-k）。在孤立導線處，研磨墊不易接觸相鄰的絕緣膜，研磨不易進行，因此會表現為密集處與孤立處之間的段差（侵蝕量）。
侵蝕的影響包括：①電性影響：導線截面積差異造成面內電阻值差異與 RC 延遲差異；②形狀影響：圖案密度高的部分表面高度變低，晶圓面內平坦度下降；③對多層內連線的影響：侵蝕量累積後，會使後續曝光、CMP 等製程的製程窗口變窄。在先進邏輯（3nm以下）的多層內連線中，要求將侵蝕量控制在<5nm。
侵蝕的對策有：①插入虛擬圖案（Dummy Fill）：在導線間的空白區域填入虛擬金屬或絕緣膜圖案，使圖案密度均勻化（標準化為密度55～65%）；②最佳化研磨液組成：使用在金屬研磨結束後使絕緣膜研磨速率急遽減緩的添加劑；③選擇研磨墊的硬度與彈性；④精密控制製程終點（光學式 EPD）；⑤導入 TMD/TEOS 覆蓋層（追加保護絕緣膜層）。
侵蝕的量測以 AFM、段差計與散射光量測（OCD：Optical Critical Dimension）進行，依晶圓面內的圖案密度設定量測點來評估。在以碟陷與侵蝕合計的「CMP 綜合不均勻性」0.1nm以下為目標的先進製程中，如何因應其控制要求，是應用材料、荏原製作所與 SKC 在 CMP 研磨液、設備與研磨墊研發上的重點課題。