研磨墊修整（Pad Conditioning）是在 CMP（化學機械研磨）製程中，持續再生與維持研磨墊表面狀態的製程。CMP 反覆研磨晶圓時，研磨墊表面的微小突起（asperity）會被壓扁而平坦化，即所謂「釉化（Glazing）」，使研磨液的保持能力與研磨速率急遽下降。研磨墊修整是以鑽石電鍍盤（修整器）磨削研磨墊表面，恢復微小突起的製程。
研磨墊修整的運作原理是：將電鍍、燒結鑽石磨粒的修整盤（直徑100～300mm）一邊加壓於研磨墊表面、一邊旋轉與擺動，微量磨削研磨墊表層，使新鮮的多孔質表面（微小突起）露出。研磨液（研磨液中的磨粒與化學藥劑）保持在這些微小突起上並供應給晶圓，維持高研磨速率與均勻性。
修整的時機有「原位修整（In-situ：研磨中同時進行）」與「非原位修整（Ex-situ：停止研磨後進行）」。原位修整讓研磨與修整同時進行，產出量高，也容易使研磨墊狀態保持一定，但由於修整器與晶圓在同一腔體內運作，控制較為複雜。非原位修整則是在晶圓處理後再生研磨墊，可進行更均勻的修整。
研磨墊修整的控制參數有下壓力（按壓壓力）、修整器轉速、擺動速度與模式（sweep）、修整時間與頻率（recipe）。透過最佳化這些參數，可在研磨墊消耗速率與微小突起恢復之間取得平衡，在處理100～500片晶圓的過程中維持穩定的研磨速率（MRR：Material Removal Rate）。修整過度會縮短研磨墊壽命，修整不足則會導致研磨速率下降。
在先進 CMP 製程中，研磨墊修整的課題是在 Low-k 絕緣膜 CMP 或銅 CMP 等研磨選擇比要求嚴格的製程中確保均勻性。在3D NAND 的鎢（W）字元線 CMP 中，研磨墊修整不均會直接導致晶圓面內研磨速率差異→層間電容變動→記憶胞特性差異。研磨墊修整器的主要廠商有3M（舊 Rodel）、中國砂輪（Kinik）、Saesol（韓國）與 A.L.M.T.（日本）。