ディッシング（Dishing）は銅ダマシンCMP後に幅広い配線中央部がくぼむ現象。パッドのたわみによるCu優先研磨が原因。抵抗増加・フォーカスマージン低下への影響とBTA腐食抑制剤・スラリー最適化による対策をわかりやすく解説。
ディッシング（Dishing）とは、CMP（化学機械研磨）プロセス後に、配線やプラグなどの金属パターン（特に幅の広いパターン）の中央部が過剰に研磨されてくぼみが生じる現象です。研磨後の金属表面断面がお皿（dish）のように凹んで見えることからこの名称がついています。銅ダマシン配線プロセスでの銅（Cu）CMPにおいて特に顕著に現れ、配線の電気抵抗増加・寄生容量変化・後工程でのフォーカスマージン低下の原因となります。
ディッシングが発生するメカニズムは、CMPの研磨パッドが柔軟性を持つため、金属が埋め込まれたトレンチ（溝）の上では金属に優先的に接触し、金属を周囲の絶縁膜より速くエッチングしてしまうことです。特に幅広い配線（数μm〜数十μm）ほどパッドが配線上に大きくたわみやすいため、ディッシング量が大きくなる傾向があります。典型的なCuディッシングは数十nm〜200nm程度で、プロセス条件・スラリー・パッドによって異なります。
ディッシングの影響として、①電気的影響：配線断面積の減少による電気抵抗（R）増加、RC遅延の増大、②形状影響：後続の露光工程でウェハ表面の平坦度が低下しフォーカス余裕が減少、③信頼性影響：ディッシング量の面内ばらつきが論理・メモリチップの性能ばらつきに直結する、があります。特に先端CMOSでは10nm以下のディッシング制御が必要になっています。
ディッシングを低減するための技術的対策として、①スラリー選択比の最適化（金属と絶縁膜の研磨速度比の調整）、②化学的添加剤（腐食抑制剤BTA：ベンゾトリアゾール等の添加で銅の過剰溶解を抑制）、③研磨パッドの硬度選択（硬いパッドは段差追従性が低くディッシングを抑制）、④研磨時間・圧力制御、⑤パターン密度の設計ルール（広い配線にスロット/ダミーパターンを挿入して実効配線幅を下げる）があります。
ディッシングの計測にはAFM（原子間力顕微鏡）や光学式段差計（段差メーター）が使われ、ウェハ面内複数点での測定値から均一性を評価します。ディッシングはエロージョン（配線密集部の過剰研磨）と合わせてCMP品質の主要指標として管理されます。Applied Materials（Reflexion）・荏原製作所（FREX）・KCTechが先端CMPでのディッシング制御技術を競っています。