摻雜物活化（Dopant Activation）是使以離子佈植導入矽晶格內的摻雜物原子（砷・磷・硼等）成為電性活化狀態的製程。剛完成離子佈植的摻雜物處於間隙位置（interstitial）或複合缺陷的狀態，不具電性活性，需以熱處理（退火）使其移動到晶格位置（substitutional site），才開始作為載子（電子或電洞）發揮作用。
摻雜物活化的熱處理方式有：① RTP（快速熱處理）尖峰退火（900～1100℃，秒級）；② 閃光燈退火（毫秒級）；③ 雷射退火（微秒～奈秒）。在先進 FinFET・GAA（Gate-All-Around）製程中，為了在將熱擴散最小化的同時得到高活化率，採用更短時間・更高溫度的退火。
活化率（已活化的摻雜物÷佈植總量）與擴散量（摻雜物移動的距離）處於取捨關係。高溫長時間處理的活化率高，但擴散大，會破壞精密控制的接面深度。雷射退火（DSA：Diffusionless Spike Anneal）以數百 ns 以下的超短時間使其熔融・再結晶，可在實質上沒有擴散的情況下達成高活化率（>90%）。
摻雜物活化的量測使用四點探針法（片電阻量測）、SIMS（二次離子質譜：濃度分布評估）、CV 法（電容－電壓：活化載子分布）。活化率的 in-situ（製程中）監控技術也正在開發，對設備控制的回饋正在推進。
在先進節點（3nm・2nm・GAA）中，對源極/汲極磊晶成長層（SiGe 源極/汲極）的摻雜（磊晶成長中的 in-situ 摻雜）也是重要的活化手法。在磊晶成長中導入摻雜物（硼等），與離子佈植+活化退火相比，可在降低晶格損傷的同時實現高濃度活化。