離子佈植機（Ion Implantation Equipment）是將硼（B）、磷（P）、砷（As）等摻雜元素離子化，以電場加速後打入矽晶圓表面的半導體前段製程設備。可精密控制晶圓中特定區域的電氣特性（導電型、載子濃度），是電晶體源極／汲極形成、井區形成、通道摻雜等許多製程不可或缺的設備。
設備構成大致分為「離子源（Ion Source）」「質量分析器（Mass Analyzer）」「加速管（Accelerator）」「掃描系統（Scanner）」「製程腔體」5個部分。在離子源將摻雜氣體電漿化，以質量分析器只篩選出目標元素的離子後，再加速到目標能量。佈植能量可在 keV～MeV 等級範圍調整，低能量（～10keV）用於形成淺接面，高能量（數 MeV）則用於形成深井區。
佈植後的晶圓會因離子撞擊產生結晶缺陷，因此必須以熱處理（退火）製程進行損傷修復與雜質活化。除了傳統的批次式爐管退火，先進製程也採用能以毫秒為單位處理的閃光退火（Millisecond Anneal），以及更高速的雷射退火（Laser Spike Anneal）。佈植量（劑量）的均勻性與再現性直接影響良率，要求±0.2%以下的高精度控制。
市場由美國的應用材料與 Axcelis Technologies 2家公司主導，合計約占全球80%的市占率。應用材料擁有涵蓋高電流、中電流、高能量全範圍的設備產品線，Axcelis 則特別在 SiC、GaN 等功率半導體領域具有優勢。日本則有日新離子機器（NISSIN Ion Equipment）在利基市場布局。對 SiC 基板進行高能量佈植需要與一般 Si 不同的最佳化，在電動車與電力電子用 SiC 需求擴大的背景下，此領域的成長備受期待。
隨著先進邏輯的微縮，離子佈植的規格要求愈趨嚴格。在 FinFET 與 GAA 奈米片電晶體中，精密控制佈植角度（Tilt Implant）在結構上變得困難，因此電漿摻雜（PLAD）與單分子層摻雜等替代技術也在研究中。此外，為了兼顧閘極介電層與介面品質的維持以及雜質活化，與閃光退火、微波退火等低溫、短時間活化技術的搭配，已成為重要的研究課題。