FinFET（鰭式場效電晶體）是什麼
FinFET 是把電晶體的通道做成直立的「鰭」狀，讓閘極從三面包覆通道的立體電晶體結構，用來抑制微縮後越來越嚴重的漏電流。
名稱
- 台灣
- FinFET（鰭式場效電晶體）
- 中國大陸
- 鳍式场效应晶体管
- 英文
- FinFET
FinFET 是什麼
傳統的平面電晶體只有通道的上方被閘極控制。尺寸縮小後，源極與汲極靠得太近，閘極越來越難完全關閉通道，產生漏電（短通道效應）。
FinFET 把通道立起來，讓閘極包住鰭的兩側與頂部，對通道的控制力大幅提高。英特爾在 2011 年發表、以 22 奈米製程率先導入量產，之後成為先進邏輯製程的主流結構。
製程上的重點
鰭的寬度與高度直接影響電晶體特性，需要精密的微影與蝕刻控制。鰭之間以絕緣膜隔開，源極與汲極常以選擇性磊晶成長矽鍺等材料來提升效能。
之後的發展
微縮到 3 奈米級以下時，FinFET 的控制力也接近極限，業界開始改用閘極從四面包覆通道的環繞式閘極（GAA）結構。三星在 3 奈米世代改用 GAA，台積電的 3 奈米仍採用 FinFET，2 奈米才改為奈米片電晶體。
相關企業
- 台積電（TSMC）（晶圓代工）
- 東京威力科創（TEL）（半導體製造設備（塗佈顯影・蝕刻・薄膜沉積））
最後更新：2026-10-06