RTP（Rapid Thermal Processing，快速熱處理）是以鎢鹵素燈或其他光源，在數秒～數十秒的短時間內將晶圓快速加熱至數百～1200℃並冷卻的熱處理設備與製程總稱。傳統擴散爐（批次式）需要數十分鐘～數小時加熱晶圓，相較之下，RTP 大幅縮短處理時間，能在將摻雜物與膜的擴散降到最低的同時，獲得所需的熱處理效果。
RTP 的主要用途包括離子佈植後的摻雜物活化退火（尖峰退火（spike anneal）：以數秒以內的處理使摻雜物位於晶格的取代位置）、矽化物形成（TiSi₂、CoSi₂、NiSi 等的自對準矽化物形成）、氧化膜的快速熱氧化（RTO）、閘極氧化膜的氮化（RTN）、金屬膜退火（降低電阻）等。
RTP 的溫度量測使用非接觸式的高溫計（輻射溫度計）。由於晶圓的放射率（Emissivity）依材料與膜結構而異，確保溫度量測的精度是重要的技術課題。晶圓面內的溫度均勻性（±1℃以下）直接關係到摻雜物活化的均勻性，因此在燈管配置與控制演算法上都下足了功夫。
閃光燈退火（FLA：Flash Lamp Anneal）是以毫秒以下的脈衝光照射，只將表面超高速加熱的技術，用於先進邏輯（3nm 以下）的淺接面形成。雷射退火（LSA：Laser Spike Anneal）可進行更短時間（微秒～奈秒）的局部加熱，被採用於源極、汲極的摻雜物超活化。
RTP 設備的主要廠商中，應用材料（Vantage Radiance 及 Vantage Naura）居市場領先地位，其次為 Mattson Technology（現為 Yidinghenglong 旗下）、Screen Semiconductor Solutions、JTEKT（舊光洋 Thermo System）等。隨著微縮推進，對 RTP 溫度控制精度與再現性的要求逐年趨嚴。